Антисегнетоэлектричество

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Антисегнетоэлектричество — физическое явление, заключающееся в том, что в некоторых кристаллах в определённом интервале температур у рядом стоящих ионов кристаллической решётки электрические дипольные моменты ориентированы антипараллельно (в то время как для сегнетоэлектриков они ориентированы параллельно). Явление аналогично явлению антиферромагнетизма и имеет ту же физическую природу, что и сегнетоэлектричество.

Переход к антисегнетоэлектрическому состоянию наступает при снижении температуры кристалла до некоторого значения, называемого антисегнетоэлектрической точкой Кюри.

При наложении внешнего электрического поля в материале возникает слабая поляризация. При этом максимум диэлектрической проницаемости материала наблюдается в точке Кюри. При достаточно сильных полях антисегнетоэлектрик может перейти в сегнетоэлектрическое состояние. Это приводит к наблюдению так называемых двойных петель гистерезиса на плоскости P(E), где P — поляризация диэлектрика, E — напряжённость внешнего поля.

Наиболее известным антисегнетоэлектриком со структурой перовскита является цирконат свинца PbZrO3.

Литература[править | править исходный текст]