Арсенид галлия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Арсенид галлия
GaAscrystals.JPG
Общие
Хим. формула GaAs
Физические свойства
Состояние твёрдое, тёмно-серые кубические кристаллы
Молярная масса 144.64 г/моль
Термические свойства
Т. плав. 1240 °C
Структура
Кристаллическая структура цинковой обманки
a = 0.56533 нм
Классификация
Рег. номер CAS 1303-00-0
PubChem 14770
Рег. номер EINECS 215-114-8
SMILES
RTECS LW8800000
ChemSpider 14087
Безопасность
Токсичность Не исследована, продукты гидролиза токсичны
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иначе.

Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.

Свойства[править | править вики-текст]

Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.

Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя в GaAs по сравнению с Si приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).

GaAs — прямозонный полупроводник, что также является его преимуществом. GaAs может быть использован в приборах оптоэлектроники: светодиодах, полупроводниковых лазерах.

Сложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия (AlAs) или тройными растворами AlxGa1-xAs (гетероструктуры) можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) или МОС-гидридной эпитаксии. Из-за практически идеального согласования постоянных решёток слои имеют малые механические напряжения и могут выращиваться произвольной толщины.

По физическим характеристикам GaAs — более хрупкий и менее теплопроводный материал, чем кремний. Подложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала.

Безопасность[править | править вики-текст]

Токсические свойства арсенида галлия детально не исследованы, но продукты его гидролиза токсичны (и канцерогенны).

Параметры зонной структуры[править | править вики-текст]

Зонная структура GaAs.
  • Ширина запрещённой зоны: в Г-долине EgГ — 1,519 эВ;
  • Параметр Варшни: α(Г) — 0,5405 мэВ/К; β(Г) — 204 К
  • Ширина запрещённой зоны в X-долине EgX — 1,981 эВ
  • Параметр Варшни: α(X) — 0,460 мэВ/К; β(X) — 204 К
  • Ширина запрещённой зоны в L-долине EgL — 1,815 эВ
  • Параметр Варшни: α(L) — 0,605 мэВ/К; β(L) — 204 К
  • Спин-орбитальное расщепление Δso — 0,341
  • Эффективная масса электрона в Г-долине me*(Г) — 0,067
  • Продольная эффективная масса электрона в L-долине ml*(L) — 1,9
  • Поперечная эффективная масса электрона в L-долине mt*(L) — 0,0754
  • Продольная эффективная масса электрона в X-долине ml*(X) — 1,3
  • Поперечная эффективная масса электрона в X-долине mt*(X) — 0,23
  • Параметры Латтинжера: \!\gamma1 — 6,98; \!\gamma2 — 2,06; \!\gamma3 — 2,93
  • Упругие константы: c11 — 1221 ГПа; c12 — 566 ГПа; c44 — 600 ГПа

Ссылки[править | править вики-текст]