Вторичная электронная эмиссия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Вторичная электронная эмиссия — испускание электронов поверхностью металлов, полупроводников или диэлектриков при бомбардировке их пучком электронов. Вторичный электронный поток состоит из электронов, отраженных поверхностью (упруго и неупруго отраженные электроны), и «истинно» вторичных электронов — электронов, выбитых из металла, полупроводника или диэлектрика первичными электронами. Отношение числа вторичных электронов n_2 к числу первичных n_1, вызвавших эмиссию, называется коэффициентом вторичной электронной эмиссии: \delta=n_2/n_1,

Коэффициент \delta зависит от природы материала поверхности, энергии бомбардирующих частиц и их угла падения на поверхность. У полупроводников и диэлектриков \delta больше, чем у металлов. Это объясняется тем, что в металлах, где концентрация электронов проводимости велика, вторичные электроны, часто сталкиваясь с ними, теряют свою энергию и не могут выйти из металла. В полупроводниках и диэлектриках же из-за малой концентрации электронов проводимости столкновения вторичных электронов с ними происходят гораздо реже и вероятность выхода вторичных электронов из эмиттера возрастает в несколько раз.

Применение[править | править вики-текст]

Явление вторичной электронной эмиссии используется в фотоэлектронных умножителях (ФЭУ), применяемых для усиления слабых фотоэлектрических токов. Кроме того, оно используется в электронной литографии, оказываясь основным фактором засвечивания резиста.

См. также[править | править вики-текст]

Динатронный эффект

Литература[править | править вики-текст]

  • Курс физики Трофимова Т. И.