Инверсный слой

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Инверсный слой - cлой у поверхности полупроводника, возникающий под действием электрических полей, приложенных к полупроводнику. Проводимость инверсного слоя определяется концентрацией неосновных носителей заряда полупроводника.

образование инверсного слоя
Qs - полный заряд в полупроводнике

В ГОСТ 15133-77[1] дается следующее определение:

Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.

Свойства[править | править вики-текст]

Основной характеристикой инверсного слоя является его толщина. Толщина слоя зависит от типа полупроводника, концентрации примесных атомов и величины приложенного поля.

Примечания[править | править вики-текст]