МЦСТ-R1000

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

МЦСТ R-1000 (проектное название МЦСТ-4R, маркируется как «1891ВМ6Я») — микропроцессор российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Является наиболее производительным российским микропроцессором архитектуры SPARC на начало 2012 года. Программно совместим с архитектурой SPARC v9, с векторными расширениями VIS1 и VIS2, а также имеет свои собственные расширения системы команд.

Представляет собой четырехядерную систему на кристалле с встроенными кэшем второго уровня, контроллером оперативной памяти и контроллерами периферийных каналов. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,09 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.

Микропроцессор R-1000 предназначен для высокопроизводительных вычислительных комплексов, одноплатных ЭВМ, носимых и встроенных решений главным образом по заказу Министерства обороны Российской Федерации. Прошел государственные испытания и рекомендован к серийному производству.

Компьютеры на базе процессора R-1000 применяются в вычислительных центрах Системы предупреждения о ракетном нападении, а также в криптографическом оборудовании. Выпускаются небольшими партиями по несколько десятков комплектов в месяц, часть процессоров для удешевления производятся на Тайване по российской документации, но в вычислительных комплексах СПРН применяются исключительно отечественные изделия.

Основные характеристики микропроцессора «R-1000»[1][2]
Характеристики Значения
1 Технологический процесс КМОП 0,09 мкм
2 Рабочая тактовая частота 1000 МГц
3 Размер слов: 32/64
4 Кэш-память команд 1-го уровня 16 Кбайт (4 way)
5 Кэш-память данных 1-го уровня 32 Кбайт (8 way)
6 Встроенная кэш-память 2-го уровня 2048 Кбайт
7 Пиковая пропускная способность канала обмена с памятью 4 Гбайт/с
8 Производительность одного ядра (в терминах DhryStone):
GIPS
GFLOPS (FP32)
GFLOPS (FP64)

2
4
2
9 Количество транзисторов 180 млн
10 Площадь кристалла 128 мм²
11 Количество слоев металла 10
12 Тип корпуса / количество выводов HFC BGA / 1156
13 Напряжение питания 1,0/1,8/2,5 В
14 Потребляемая мощность, Вт 20 Вт
15 Процессорных ядер 4

Разрабатывается модификация с малым потреблением энергии R-1000M[3], где ожидается потребляемая мощность не более 14 Вт.

Примечания[править | править вики-текст]

Ссылки[править | править вики-текст]