МЦСТ-R500
Микропроцессор МЦСТ R-500 (1891ВМ2) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC v8.
Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,13 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.
Микропроцессор R-500 предназначен для создания ЭВМ для носимых и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации. Изготавливается с 2004 года. Производство осуществляется на заводе TSMC на Тайване, с ноября 2009 года производство планировалось перенести на завод «Ангстрем», строящийся в Зеленограде.
| Характеристики | Значения | |
|---|---|---|
| 1 | Технологический процесс | КМОП 0,13 мкм |
| 2 | Рабочая тактовая частота | 500 МГц |
| 3 | Размер слов: | 32/64 |
| 4 | Кэш-память команд 1-го уровня | 16 Кбайт (4 way) |
| 5 | Кэш-память данных 1-го уровня | 32 Кбайт (8 way) |
| 6 | Внешняя кэш-память 2-го уровня | 4 Мбайт |
| 7 | Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня | 1,6 Гбайт/с |
| 8 | Пропускная способность шины MBus | 0,8 Гбайт/с |
| 9 | Площадь кристалла | 25 мм² |
| 10 | Количество транзисторов | 4,9 млн |
| 11 | Количество слоев металла | 8 |
| 12 | Тип корпуса / количество выводов | BGA / 376 |
| 13 | Напряжение питания | 1/2,5 В |
| 14 | Рассеиваемая мощность | <1 Вт |
Примечания[править | править код]
- ↑ Микропроцессор МЦСТ R500 Архивная копия от 2 июля 2014 на Wayback Machine в каталоге компании
- ↑ Выпуск микропроцессора МЦСТ R500
Источники[править | править код]
- Сайт ЗАО МЦСТ
