Микрополосковая линия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Перейти к: навигация, поиск
Циркулятор — устройство СВЧ выполненное с использованием микрополосковой технологии

Микрополосковая линия — несимметричная полосковая линия передачи СВЧ, для передачи электромагнитных волн в воздушной или, как правило, в диэлектрической среде, вдоль двух или нескольких проводников, имеющих форму тонких полосок и пластин.

В микрополосковой линии распространяется волна квази-ТЕМ и силовые линии электрического поля проходят не только в диэлектрике, но и вне его.

Основным достоинством микрополосковой линии и различных устройств на её основе считается возможность автоматизации производства с применением технологий изготовления печатных плат, гибридных и плёночных интегральных микросхем. Основной недостаток, ограничивающий применение, — возможность применения только при малых и средних уровнях мощности СВЧ колебаний.

Содержание

[править] Основные параметры

микрополосковая линия

[править] Волновое сопротивление

ZBf — Волновое сопротивление c учётом частотной дисперсии[1]
Z_\textrm{Bf}=Z_\textrm{Bs}-\frac{Z_\textrm{Bs}-Z_\textrm{B}}{1+G(f/f_\textrm{p})^{2}}
где
ZBs — Волновое сопротивление симметричной полосковой линии шириной w и высотой 2h;
fp = 0,3976ZB / h, в ГГц;
h — высота подложки; f в ГГц, а h в мм;
G=\left(\frac{Z_\textrm{B}-5}{60}\right)^{1/2}+0,004Z_\textrm{B}
ZB — Волновое сопротивление без учёта дисперсии;
ZB, приблизительно, с точностью до 2 %[2], можно определить по формуле[3][4][5]
Z_\textrm{B} = \,\! \begin{cases} \frac{B_\textrm{k}}{2 \pi} \mathrm{ln} \left( \frac{8 h}{w_\textrm{eff}} + 0,25 \frac{w_\textrm{eff}}{h} \right), \frac{w_\textrm{eff}}{h} \le 1 \\ B_\textrm{k} \left( \frac{w_\textrm{eff}}{h} +1,393 + 0,667 \mathrm{ln}\left(\frac{w_\textrm{eff}}{h} + 1,444 \right)\right)^{-1}, \frac{w_\textrm{eff}}{h} \ge 1 \end{cases}, B_\textrm{k} = \frac{z_{0}}{\sqrt{\varepsilon_{ref(t,f)}}}
где
\varepsilon_{reff}=\varepsilon_{r}-\frac{\varepsilon_{r}-\varepsilon_{reft}} {1+G(f/f_\textrm{p})^{2}} — эффективная диэлектрическая проницаемость с учётом частотной дисперсии[6]
где
f, fp, G, εreft см. выше
\varepsilon_{reft} — эффективная диэлектрическая проницаемость с учётом толщины проводника[5]
\varepsilon_{reft}=\,\!\begin{cases}\varepsilon_{ref}, \frac{t}{h} \le 0,005 \\ \varepsilon_{ref}-\frac{(\varepsilon_{r}-1)t/h}{4,6\sqrt{w/h}}, \frac{t}{h} > 0,005 \end{cases}
\varepsilon_{ref} — эффективная диэлектрическая проницаемость.
\varepsilon_{ref}=\,\! \begin{cases}\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2}\left(1+\frac{12h}{w}\right)^{-1/2} , \frac{w}{h} \ge 1 \\ \frac{\varepsilon_{r}+1}{2}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2}\left(\left(1+\frac{12h}{w}\right)^{-1/2}+0,041\left( 1-\frac{w}{h}\right)^{2}\right), \frac{w}{h} < 1 \end{cases}
\varepsilon_{r} — относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки
z0 — характеристическое сопротивление вакуума [7]
weff — эффективная ширина проводника[5]
w_\textrm{eff}= \,\! \begin{cases} w, (\Delta w =0),\frac{t}{h} \le 0,005 \\ w + \Delta w ,\frac{t}{h} > 0,005 \end{cases}, \frac{w_\textrm{eff}}{h} = \frac{w}{h} + \frac{\Delta w}{h}
\frac{\Delta w}{h} = \,\! \begin{cases} A_\textrm{k} \left(1 + \mathrm{ln} \frac{4 \pi w}{t} \right), \frac{w}{h} < \frac{1}{2 \pi} \\ A_\textrm{k} \left(1 + \mathrm{ln} \frac{2 h}{t}\right), \frac{w}{h} \ge \frac{1}{2 \pi} \end{cases}, A_\textrm{k}= \frac{1,25 t}{\pi h}
где w — ширина проводника;
t — толщина полоски;

[править] Коэффициент затухания на единицу длины

Основная статья: Коэффициент затухания
в дБ/м
\alpha_=\alpha_\partial+\alpha_{\pi\textrm{p}}

где

  • \alpha_\partial — Потери в диэлектрике[8]
\alpha_\partial =\frac{27,3\varepsilon_{r}}{(\varepsilon_{r}-1)} \frac{(\varepsilon_{reff}-1)}{\sqrt{\varepsilon_{reff}}}\frac{tg\delta}{\lambda_\textrm{o}},
где
tgδ — тангенс угла потерь диэлектрика;
λo — длина волны в свободном пространстве;
  • απp — Потери в проводнике

[править] Примечания

  1. ↑ Bianco, B., et al.,«Frequency Depence of Microstrip Parametrs», Alta Frequenza, vol. 43, 1974, pp. 413—416
  2. ↑ ZB, в диапазоне 0,05 < w / h < 20 при εr < 16, точность формул — 1%
    Существуют выражения в замкнутой форме (для любого w/h),но они обеспечивают несколько меньшую точность, например:
    H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of a strip on a dielectric sheet on a plane», IEEE Tran. Microwave Theory Tech., vol. MTT-25, pp. 631—647, Aug. 1977. (см Microstrip.Characteristic Impedance)
  3. ↑ H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel wide strips by a conformal-mapping approximation», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-12, pp. 280—289, May 1964.
  4. ↑ H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel strips separated by a dielectric sheet», IEEE Tran. Microwave Theory Tech., vol. MTT-13, pp. 172—185, Mar. 1965.
  5. ↑ 1 2 3 Bahl, I.J., and Ramesh Garg, «Simple and Accurate Formulas for Microstrip with Finite Strip Thickness», Proc. IEEE ,vol. 65, Nov.1977. pp. 1611—1612
  6. ↑ Edwards, T.C., and R.P.Owens, «2—18 GHz Dispersion Measurements on 10—100 Ohm Microstrip Line on Saphire», IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ,vol. MTT-24, Aug.1976. pp. 506—513
  7. ↑ характеристическое (волновое) сопротивление вакуума или сопротивление свободного пространства,
    z_{0} = \sqrt{\frac{\mu_{0}}{\varepsilon_{0}}} = \mu_{0} c = \frac{1}{\varepsilon_{0} c}
    где
    μ0 магнитная постоянная (магнитная проницаемость вакуума)
    \varepsilon_{0} электрическая постоянная (диэлектрическая проницаемость вакуума)
    c -скорость света в вакууме
  8. ↑ Pucel, R.A. «Losses in Microsrtip», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-16, 1968, pp. 342—350, correction p.1064

[править] Ссылки


Шестерня Это незавершённая статья о технике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её.
Это примечание по возможности следует заменить более точным.
Источник — «http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D1%81%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D0%B0%D1%8F_%D0%BB%D0%B8%D0%BD%D0%B8%D1%8F»
На других языках