Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы сокр., ПХО; ПХГФО иначе плазмохимическое газофазное осаждение; осаждение из паровой фазы стимулированное плазмой (англ. plasma-enhanced chemical vapor deposition) — процесс химического осаждения тонких пленок из паровой фазы при низком давлении с использованием высокочастотной плазмы[1].

Описание[править | править исходный текст]

Технология плазмохимического осаждения использует газоразрядную плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Применение различных приемов возбуждения плазмы в реакционном объёме и управление её параметрами позволяет интенсифицировать процессы роста покрытий, проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах подложки, делает более управляемыми процессы формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия по сравнению с аналогичными процессами при химическом осаждении из газовой фазы (CVD), основанными на термическом разложении реакционного газа[1].

Примечания[править | править исходный текст]

Литература[править | править исходный текст]

  • НТЦ Нанотехнология, 2006. — www.nano.org.ua
  • Передовые плазменные технологии // Intech, 2008. — www.plasmasystem.ru