Подложка

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Подложки от 2 до 8 дюймов
Срез материала с поликристаллической структурой

Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.

Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв[1].

Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоёв с помощью процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.[2]

При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Фотокинотехника, 1981, с. 242
  2. Бахрушин В. Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоёв многослойных композиций. — Запорожье: КПУ, 2001. — 247 с.

Литература[править | править вики-текст]