Полупроводниковая пластина

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Полупроводниковая пластина со сформированным на ней массивом микросхем

Полупроводниковая пластина — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и микросхем.

Представляет собой тонкую (250—1000 мкм) пластину из полупроводникового материала диаметром до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций планарной технологии формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем.

После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы (чипы). Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем.

Изготовление[править | править исходный текст]

Пластины изготавливаются из высокочистого (чистота порядка 99,9999999%),[1] монокристалического кремния, практически не содержащего дефектов.[2] Для изготовления слитков с заданной кристаллографической ориентацией используется процесс Чохральского.[3][4]

Слиток нарезается на пластины, затем каждая пластина полируется.[5]

Стандартные размеры[править | править исходный текст]

Диаметр круглой пластины

  • 1 дюйм.
  • 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 мкм.
  • 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
  • 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
  • 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
  • 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
  • 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
  • 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
  • 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается[6])

Наиболее популярные размеры: 200 мм, 300 мм, 150 мм[7]. Наиболее современные техпроцессы по изготовлению СБИС используют 300 мм пластины.

См. также[править | править исходный текст]

Примечания[править | править исходный текст]

  1. "Semi" SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group.
  2. SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group.
  3. Levy Roland Albert Microelectronic Materials and Processes. — 1989. — P. 1–2. — ISBN 0-7923-0154-4
  4. Grovenor C. Microelectronic Materials. — CRC Press, 1989. — P. 113–123. — ISBN 0-85274-270-3
  5. Nishi Yoshio Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. — CRC Press, 2000. — P. 67–71. — ISBN 0-8247-8783-8
  6. Industry agrees on first 450-mm wafer standard | EE Times
  7. http://www.semi.org/en/sites/semi.org/files/docs/2012.12.11%20SEMI%20Mkt%20Webinar_Combined.pdf слайд 15

Ссылки[править | править исходный текст]