Фотолитография

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Линия фотолитографии для производства кремниевых пластин

Фотолитогра́фия — метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.

Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом).

Фоторезист — специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.

Фотошаблон — пластина с рисунком, который сформирует необходимое изображение на фоторезисте. Обычно используются прозрачные фотошаблоны, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.

Процесс фотолитографии происходит так:

  1. На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.
  2. Производится экспонирование через фотошаблон (обычно проекционным методом с помощью степпера или сканера).
  3. Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.
  4. Заключительная стадия — удаление остатков фоторезиста.

Если после экспонирования становятся растворимыми засвеченные области фоторезиста, то процесс фотолитографии называется позитивным. Иначе — негативным.

Методы фотолитографии[править | править исходный текст]

По источнику излучения (указана длина волны)

Технологии, позволяющие уменьшить искажения и изготовить микросхемы по более тонкому техпроцессу:

Проводятся исследования низкопроизводительной фотолитографии, не использующей маски[en][1].

Альтернативные способы[править | править исходный текст]

  • «Взрывной». (обратная фотолитография) При его использовании слой материала наносится на слой облучённого и протравленного фоторезиста, после чего остатки фоторезиста удаляются, унося с собой области материала, под которыми он располагался. Используется для изготовления рисунков из материалов, не имеющих травителя, либо если травитель является слишком агрессивным.
  • «Выжигание». Необходимые окна в полимерном слое разрушаются воздействием на них мощного светового потока, испаряющего нанесённую на материал плёнку или прожигающего сам материал насквозь. Применяется для изготовления малотиражных офсетных форм и в некоторых системах ризографии.

См. также[править | править исходный текст]

Примечания[править | править исходный текст]

  1. Optical Maskless Lithography (OML) Project Status // ASML, SEMATECH ML2 Conference, January 2005

Литература[править | править исходный текст]

Ссылки[править | править исходный текст]