Фотолитография в глубоком ультрафиолете

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Схема работы литографии в EUV.

Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL[1] — экстремальная ультрафиолетовая литография[2]) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитография следующего поколения (англ.). Использует свет экстремального (англ.) ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм.

Источники света[править | править исходный текст]

В качестве мощных источников света в ЭУФ диапазоне могут использоваться синхротроны или плазма, разогреваемая импульсом лазера или электрическим разрядом.

Оптика для EUVL[править | править исходный текст]

В отличие от используемой ныне литографии на дальнем ультрафиолете (на эксимерных лазерах и с проведением процесса в жидкости), EUV требует использования вакуума[3]. В качестве оптики используются не линзы, а многослойные зеркала[3], с отражением на основе межслойной интерференции. Маска (фотошаблон) также выполняется в виде отражающего элемента, а не просвечивающего, как в настоящее время. При каждом отражении зеркалом и маской поглощается значительная часть энергии луча, около 1/3. При использовании 7 зеркал будет поглощено около 94 % мощности луча, а значит EUL требует мощных источников.

Экспонирование фоторезиста[править | править исходный текст]

Ограничения метода[править | править исходный текст]

Экспериментальные установки[править | править исходный текст]

Первые экспериментальные установки совмещения и экспонирования (степперы) для EUVL были созданы в 2000 году в Ливерморской национальной лаборатории.

EUV оборудование от ASML[править | править исходный текст]

В таблицу сведены степперы для EUV от ASML.

Год Название EUV Tool Наилучшее разрешение Пропускная способность Доза, Мощность источника
2006 ADT 32 нм 4 WPH (пластин в час) 5 мДж/см², ~8ВТ
2010 NXE:3100 27 нм 60 WPH 10 мДж/см², >100Вт
2012 NXE:3300B 22 нм 125 WPH 15 мДж/см², >250Вт
2013 NXE:3300C зависит от диффузионных свойств фоторезиста 150 WPH 15 мДж/см², >350Вт

Источник: ASML, International Workshop on EUVL, Maui 2010

Примечания[править | править исходный текст]

  1. Субмикронная УФ-литография появится нескоро
  2. Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники / 07.04.2008, Журнал «Нано- и микросистемная техника». Автор С. В. Гапонов, чл.-корр. РАН, ИФМ РАН
  3. 1 2 Литография на длине волны 13 нм. член-корр. РАН С. В. Гапонов, Вестник РАН, т. 73, № 5, с. 392 (2003). «…более коротковолновое излучение сильно поглощается всеми веществами. Можно думать только об использовании зеркальной оптики, размещенной в вакууме.»

Литература[править | править исходный текст]

Ссылки[править | править исходный текст]