Шокли, Уильям Брэдфорд
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
| Уильям Брэдфорд Шокли | |
| англ. William Bradford Shockley | |
 |
|
| Дата рождения: | |
|---|---|
| Место рождения: | |
| Дата смерти: | |
| Место смерти: | |
| Гражданство: | |
| Научная сфера: | |
| Место работы: | |
| Альма-матер: | |
| Известен как: |
один из открывателей транзисторного эффекта |
| Награды и премии | |
| Сайт: | |
Уильям Брэдфорд Шокли (англ. William Bradford Shockley; 13 февраля 1910, Лондон — 12 августа 1989, Стэнфорд, Калифорния) — американский физик английского происхождения, лауреат Нобелевской премии по физике 1956 года. Член Национальной академии наук США (1951).
Содержание |
[править] Биография
Шокли родился в Лондоне (Англия). В 1932 он окончил Калифорнийский технологический институт, в течение ряда лет (1936-55) работал в лабораториях фирмы «Белл телефон». Затем он руководил лабораторией полупроводников фирмы «Бекман Инструментс Инкорпорейшн» (1955-58), являлся президентом «Шокли Транзистор Корпорейшн» (1958-60) и директором «Шокли Транзистор» (1960-63). Позже Шокли являлся профессором Стэнфордского университета (1963-75).
[править] Научная деятельность
Шокли является автором работ по физике твердого тела и полупроводников. Ряд из них посвящен энергетическим состояниям в твердых телах (металлах и сплавах), вопросам теории дислокаций и ферромагнетизма. В 1948 он обнаружил «эффект поля», предположил важную роль дефектов кристаллической структуры как катализаторов для процесса рекомбинации зарядов в полупроводниках, экспериментально наблюдал дырочную проводимость, исследовал эффекты инжекции носителей заряда. Шокли предложил методы создания диффузионного базового транзистора. Вместе с Дж. Хейнсом он смог непосредственно измерить подвижность и время жизни носителей заряда в германии (опыт Хейнса-Шокли, 1949), с Г. Сулом установил влияние магнитного поля на концентрацию носителей. Шокли построил теорию p-n-перехода, получил уравнение для плотности полного тока в нем (уравнение Шокли, 1949) и на основе этого предложил p-n-p-транзистор. В 1951 он предсказал явление насыщения в полупроводниках и разработал метод определения эффективной массы носителей заряда. В 1956 «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» Шокли совместно с Джоном Бардином и Уолтером Браттейном был удостоен Нобелевской премии по физике.
[править] Публикации
- В. Шокли, Ф. Никс. Процессы упорядочения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 7.
- В. Шокли, Ф. Никс. Превращения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 8.
- В. Шокли. Природа металлического состояния. // УФН. — 1941. — № 3.
- В. Шокли. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. - М.: Изд-во иностр. лит., 1953.
- В. Шокли. Физика транзисторов. // УФН. — 1958. — Т. 64. — № 1.
- У. Шокли. Проблемы,связанные с р -n-переходами в кремнии. // УФН. — 1962. — Т. 77. — № 5.
[править] Литература
- Ю.А. Храмов. Физики: Биографический справочник. - 2-е изд. - М.: Наука, 1983. - С. 301.
[править] См. также
[править] Ссылки
 |
Это незавершённая статья об учёном-физике. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её. |
|
|
|
|---|---|
|
Кокрофт / Уолтон (1951) • Блох / Пёрселл (1952) • Цернике (1953) • Борн / Боте (1954) • Лэмб / Куш (1955) • Шокли / Бардин / Браттейн (1956) • Янг / Ч.Ли (1957) • Черенков / Франк / Тамм (1958) • Сегре / Чемберлен (1959) • Глазер (1960) • Хофштедтер / Мёссбауэр (1961) • Ландау (1962) • Вигнер / Гёпперт-Майер / Йенсен (1963) • Таунс / Басов / Прохоров (1964) • Томонага / Швингер / Фейнман (1965) • Кастлер (1966) • Бете (1967) • Альварес (1968) • Гелл-Манн (1969) • Альфвен / Неель (1970) • Габор (1971) • Бардин / Купер / Шриффер (1972) • Эсаки / Джайевер / Джозефсон (1973) • Райл / Хьюиш (1974) • О.Бор / Моттельсон / Рейнуотер (1975) |
|
|
Полный список | (1901—1925) | (1926—1950) | (1951—1975) | (1976—2000) | (2001—2025) |
