Энергонезависимая память

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Энергонезависимая
Микросхема КМОП, подпитываемая батарейкой

Энергонезависимая память, NVRAM (англ. Non Volatile Random Access Memory) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью[1].

В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти, или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения. Однако попадающие под это определение носители информации, ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия.

Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко, по отношению к полупроводниковым БИС запоминающих устройств, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.

Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая память для хранения настроек BIOS питаются от компактной батарейки, закрепленной на плате. Современные RAID-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM памяти, используемой в качестве буфера. [2][3]

В начале 2010-х годов наиболее широко распространенной энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND (Charge Trap Flash).

Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-памяти после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и т.п.[4][5][6]

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Frank Vahid and Tony Givargis Chapter 5: Memories // EMBEDDED SYSTEM DESIGN: A UNIFIED HARDWARE/SOFTWARE INTRODUCTION. — Wiley India Pvt. Limited, 2006. — 348 p. — ISBN 9788126508372.
  2. Sung Hoon Baek Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers // IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE). — 2013. — С. 298 - 299. — ISBN 978-1-4673-1361-2. — ISSN 2158-3994. — DOI:10.1109/ICCE.2013.6486902: "High-end RAID systems utilize uninterruptible power supply (UPS) or battery-backed RAM to achieve both reliability and performance...high-end RAID system that uses UPS or battery- backed RAM to protect buffered data."
  3. Shimin Chen. Exploiting Flash for Energy Efficient Disk Arrays (англ.). — «NVRAM (i.e., battery-backed RAM) as non-volatile write buffers.»  Проверено 9 января 2015.
  4. Kim Kinam Future Memory Technology including Emerging New Memories. — Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics. — P. 377–384.
  5. Tom Coughlin; Ed Grochowski. Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (September 15, 2014). Проверено 9 января 2015.
  6. Overview of emerging nonvolatile memory technologies // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526

Литература[править | править вики-текст]

  • Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия, 2-е изд. / М.Гук, — СПБ.: Питер, 2003. — 923 с.:ил., ISBN 5-318-00047-9