Эсаки, Лео

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Перейти к: навигация, поиск
Лео Эсаки
江崎 玲於奈

Выдающийся японский учёный-физик, лауреат Нобелевской премии
Дата рождения:

12 марта 1925(19250312)

Место рождения:

Осака, Япония

Научная сфера:

физика

Награды и премии


Нобелевская премия по физике (1973)

Лео Эсаки (яп. 江崎 玲於奈 правильная транскрипция Эсаки Реона либо же Эсаки Леона) (род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 г. Половина премии, совместно с Айвором Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.

Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 г., степень доктора философии (эквивалентно кандидату наук) в 1959 г. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 г. во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 г. переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM в 1967 г.

[править] Награды

[править] Ссылки