Эффект Эрли

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Вверху — ширина базы n-p-n при низком напряжении коллектор-база; Внизу — при высоком напряжении. Заштрихована обеднённая зона полупроводника.

Эффект Эрли — влияние обратного напряжения на коллекторном переходе на токи биполярного транзистора. Тем самым, данный эффект уточняет модель работы биполярного транзистора, и не позволяет рассматривать последний в виде идеального усилителя тока.

Этот эффект проявляется в зависимости дифференциального сопротивления от напряжения Uk в активном режиме работы транзистора.

Механизм возникновения зависимости в p-n-p транзисторе следующий:

  • при изменении напряжения на коллекторе изменяется ширина обеднённой области p-n перехода;
  • последнее способствует изменению ширины базы;
  • изменение базы приводит к изменению коэффициента передачи эмиттерного тока.

См. также[править | править вики-текст]

Ссылки[править | править вики-текст]

Литература[править | править вики-текст]

  • Сугано, Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. — М. : Мир, 1988. — С. 102. — ISBN 5-03-001109-9.