Charge Trap Flash

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Charge Trap Flash (CTF) (память с ловушкой заряда) — технология производства компьютерной памяти, разработанная компанией Samsung и представленная в 2006 году. Данная технология обеспечивает значительное уменьшение электромагнитного шума в кристалле во время передачи данных, благодаря чему она сможет применяться при построении флэш-памяти, выполненной по 30 и даже 20 нанометровому технологическому процессу.

Ссылки[править | править исходный текст]

См. также[править | править исходный текст]