Charge Trap Flash

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Условная схема ячейки флеш-памяти CTF, показан процесс записи.

Charge Trap Flash (CTF, память с ловушкой заряда) — технология компьютерной флеш-памяти известная с 1967 года и используемая для создания NOR и NAND накопителей с 2002 и 2008 годов соответственно. Она отличается от широко использовавшейся до 2010 года технологии флеш-памяти на MOSFET-транзисторах с плавающим затвором тем, что использует для хранения электронов пленку нитрида кремния, а не поликремний с допирующими элементами. За счет перехода на CTF производители памяти смогли снизить стоимость производства за счет:

  • меньшего количества технологических этапов для формирования ячейки
  • возможности использования более тонких технологических процессов (30, 20 нм и немного меньше)
  • упрощения хранения нескольких бит в одной ячейке (например, MLC - хранение 2 бит в виде 4 возможных уровней заряда)
  • повышения надежности
  • более высокого выхода годных, поскольку технология меньше подвержена точечным дефектам в туннельном слое оксида.

Производство флеш-памяти на основе CTF было освоено AMD в партнерстве с Fujitsu еще в 2002 году (семейство флеш-памяти GL NOR, ныне принадлежит компании Spansion). В 2008 году CTF память составляла около 30% от рынка NOR памяти, общим объёмом в 2,5 млрд долларов США.

Многие производители NAND флеш-памяти перешли с плавающих затворов на CTF в 2008-2010 годах, когда техпроцесс стал приближаться к 20 нм[1].

Во всех вариантах трехмерной компоновки ячеек флеш-памяти (3D NAND), включая V-NAND (Samsung), применяется CTF[2][3]

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Edward Grochowski, Robert E.Fontana, Future Technology Challenges For NAND Flash and HDD Products // Flash Memory Summit, 2012  (англ.): slide 6 "Projected NAND Flash Memory Circuit Density Roadmap"
  2. Technology Roadmap for NAND Flash Memory. techinsights (April 2013). Проверено 9 января 2015.
  3. Technology Roadmap for NAND Flash Memory. techinsights (April 2014). Проверено 9 января 2015.

Ссылки[править | править вики-текст]