Фоторезистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Внешний вид фоторезистора
Условное обозначение фоторезистора на электрических принципиальных схемах

Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n-перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока - его ВАХ симметрична.

Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом[1].

Материалы, конструкция[править | править код]

Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Для регистрации инфракрасного излучения используются Ge (чистый или легированный примесями Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур с помощью термоэлектрического охладителя, компактного сосуда Дьюара с жидким азотом или же с помощью дросселирования азота. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус.

Параметры[править | править код]

Пример зависимости сопротивления фоторезистора от освещённости

Важнейшие параметры фоторезисторов:

  • интегральная чувствительность — отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения (при номинальном значении напряжения питания);
  • порог чувствительности — величина минимального потока излучения, регистрируемого фоторезистором, отнесённая к единице полосы рабочих частот.

Применение[править | править код]

Фоторезисторы используют для регистрации слабых потоков света, при сортировке и счёте готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей; в полиграфической промышленности для обнаружения обрывов бумажной ленты, контроля количества листов бумаги, подаваемых в печатную машину; в медицине, сельском хозяйстве и других областях.

Примечания[править | править код]

  1. Киреев, 1975, с. 537—546.

Ссылки[править | править код]

Литература[править | править код]

  • Киреев П. С. Физика полупроводников. — М.: Высшая школа, 1975. — 584 с. — 30 000 экз.