Гомоэпитаксия
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Гомоэпитаксия (автоэпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки[1]. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.
Примеры[править | править код]
- Получение кремниевых и германиевых n+-n и p+-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем.
- Ньюмен и Гольдшмит рассматривают получение слоя арсенида галлия из газовой фазы с помощью автоэпитаксии[2].
См. также[править | править код]
Примечания[править | править код]
- ↑ М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. А. Ревелева, Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1, М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012
- ↑ Л. С. Палатник, Ориентированная кристаллизация / Л. С. Палатник, И. И. Папиров, Ориентированная кристаллизация. М.: «Металлургия», 1964
 | Это заготовка статьи по физике. Помогите Википедии, дополнив её. |