Двуреченский, Анатолий Васильевич

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Двуреченский.

Анатолий Васильевич Двуреченский
Дата рождения	10 апреля 1945(1945-04-10) (79 лет)
Место рождения	Барнаул, Алтайский край, РСФСР, СССР
Страна	СССР  Россия
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	ИФП СО РАН, НГУ
Альма-матер	НГУ
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1988)
Учёное звание	профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии

Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский (род. 10 апреля 1945, Барнаул) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (с 2000 года), заведующий лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (с 1987 года).

Биография

Родился 10 апреля 1945 года в Барнауле, Алтайского края в семье Василия Арсентьевича Двуреченского и Ефросиньи Григорьевны Двуреченской.

В 1968 г. окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.

После окончания университета начал работать в лаборатории радиационной физики Института физики полупроводников СО АН СССР.

В 1974 г. защитил кандидатскую диссертацию «Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой, между собой и примесью».

В 1988 г. защитил докторскую диссертацию «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния».

С 1987 г. возглавляет лабораторию неравновесных полупроводниковых систем.

В 1988 г. вместе с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе и ФИАН становится лауреатом Государственной премии СССР за "Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел («лазерный отжиг»).

С 1987 г. преподаёт на кафедре физики полупроводников физического факультета НГУ, где разработал и читает курсы «Радиационная физика полупроводников» и «Физические основы нанотехнологии». С 1991 г. — профессор этой кафедры.

В 1993 г. присвоено звание профессора по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков».

С 2000 г. занимает должность заместителя директора по научным вопросам Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «наноэлектроника»).

В рамках международного сотрудничества работал в университете штата Нью Йорк в Олбани, США; исследовательском центре Россендорф, Дрезден, Германия; университете Фудань, Шанхай, КНР.

С 2012 года является членом комиссии по развитию физики Международного Союза Фундаментальной и Прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP).

Под руководством А. В. Двуреченского защищено 12 кандидатских и 6 докторских диссертационных работ. Является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, 10 авторских свидетельств, 3 патентов.

Научные интересы

Основные научные интересы относятся к радиационной физики, атомной структуре и электронным явлениям в полупроводниковых и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологии полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Областями научной деятельности являются атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами, синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков, гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами, лазерный отжиг.

Основная направленность проводимых исследований была связана с разработкой метода и технологии процесса легирования полупроводников с помощью ионной имплантации, а также нейтронного облучения. В реализации радиационных методов легирования полупроводников главная проблема заключалась в огромном количестве дефектов, возникающих в материале при насильственном введении даже единичного элемента с помощью ускорительной техники. Вводимые дефекты катастрофически изменяли свойства материала, особенно полупроводников, как наиболее чувствительных к внешним воздействиям даже при слабых потоках частиц. Дефекты фактически маскировали проявление легирования материала — изменение свойств, связанных с внедренным химическим элементом. Полученные А. В. Двуреченским с коллегами результаты исследований формирования и перестройки дефектов, перехода кристалла в аморфное состояние при ионном облучении привели к первым успехам в решении проблем легирования материала. Температура перекристаллизации амортизированных ионной имплантацией слоев оказалась заметно ниже температуры устранения многих точечных и протяженных дефектов кристаллической структуры.

Научные достижения

Прорывным успехом в решении проблемы устранения дефектов стало «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел („лазерный отжиг“)» — именно под таким названием за цикл работ по исследованию процессов взаимодействия импульсного излучения с твердым телом в 1988 году А. В. Двуреченскому с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе, ФИАН была присуждена Государственная премия СССР. Суть явления заключалась в восстановлении кристаллической структуры после импульсного воздействия лазерного излучения на ионно-легированные полупроводниковые пластины с аморфным слоем. Скорость превращения аморфного слоя в монокристаллическую область оказалась на много порядков выше типичных величин скоростей роста кристаллов, и этот факт вызывал особый интерес у исследователей различных областей к лазерному отжигу. А. В. Двуреченским с коллегами установлены закономерности структурных превращений и растворимости легирующих элементов при высоких скоростях кристаллизации в условиях импульсного лазерного/электронного воздействия на аморфные слои кремния. В рамках международного сотрудничества по теме «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники» в 1988 году ему с коллегами была присуждена международная премия Академий наук СССР и ГДР. С позиций практических применений развитое направление обеспечило наиболее полную реализацию достоинств технологии ионной имплантации, ставшую в настоящее время главной и фактически единственной технологией в процессах легирования полупроводников при производстве изделий электронной техники во всем мире. Импульсный (лазерный) отжиг также стал базовой технологией в ведущих мировых фирмах — производителях различных схем и устройств электронной техники.

На основе проводимых в настоящее время исследований морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига А. В. Двуреченским с сотрудниками разработана технология создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний (двумерные и трехмерные ансамбли квантовых точек). Предложены и разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам, упорядочению их в пространстве; выполнены пионерские работы по изучению электрических, оптических и магнитных явлений в созданных наногетероструктурах; выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты; установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний. На основе полученных фундаментальных результатов по направлению «Нанотехнологии и наноматериалы» разработаны новые подходы в создании полупроводниковых приборов.

Общественная деятельность

Является заместителем председателя Научного совета РАН по проблеме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников», членом редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, руководителем ряда программ СО РАН, членом Экспертного совета ВАК по физике.

Награды и почётные звания

• Государственная премия СССР 1988 г. в составе авторов за цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)».
• Международная премия академии наук СССР и академии наук Германской демократической республики 1988 г. в составе авторов за цикл совместных работ «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники».
• Почётные грамоты РАН (1999, 2004 гг.), Министерства образования и науки РФ (2007 г.), города Новосибирска (2014, 2015 гг.).
• Премия Правительства РФ в области образования (2014 г.).
• Почётная грамота Президента Российской Федерации (26 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук.

Ссылки

• Профиль Анатолия Васильевича Двуреченского на официальном сайте РАН
• Страница А. В. Двуреченского на сайте Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН