Закон Вегарда

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов[1][2].

Таким образом, параметры кристаллической решётки () твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов SixGe1-x и InPxAs1-x:

Невозможно разобрать выражение (MathML с переходом в SVG или PNG (рекомендуется для современных браузеров и инструментов повышения доступности): Недопустимый ответ («Math extension cannot connect to Restbase.») от сервера «/mathoid/local/v1/»:): {\displaystyle \mathit{a}_{SiGe} = \mathit{x}\mathit{a}_{Si} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{Ge}}

.

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InPxAs1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника от соотношения её составляющих и параметра где -параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:

Примечания[править | править вики-текст]

  1. L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921.
  2. Harvard.edu A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991.

См. также[править | править вики-текст]