Зи, Саймон Мин

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Саймон Мин Зи
施敏
Дата рождения 21 марта 1936(1936-03-21) (82 года)
Место рождения
Страна
Научная сфера физика
Альма-матер
Учёная степень докторская степень[d][2]
Награды и премии

Саймон Мин Зи (кит. трад. 施敏, пиньинь: Shī Mĭn, англ. Simon Min Sze, родился 21 мая 1936) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984[3]).

Зи родился в Нанкине и вырос на Тайване. Получив в 1957 году диплом бакалавра Национального университета Тайваня, Зи уехал в США и обучался физике в Вашингтонском университете (магистр, 1960) и Стэнфорде (доктор, 1963). Зи проработал почти тридцать лет на Bell Labs, а в 1990 году вернулся на Тайвань и возглавил кафедру Национального Университета Цзяо Тун (NCTU)[4].

Научные работы Зи 1960-х и 1970-х годов посвящены вопросам прикладной физики полупроводников — явлению лавинного пробоя, явлениям на границе раздела металл-полупроводник, микроволновым и оптоэлектронным устройствам[4]. В 1967 году Зи и Дейвон Канг предложили концепцию полевого транзистора с плавающим затвором — элементарной ячейки энергонезависимой памяти. Первая практическая реализация идей Зи и Канга, EPROM, была запатентована в 1971 году. В 1978 году последовали основанные на том же принципе EEPROM и флеш-память, в 1997 году — первые прецизионные микросхемы аналоговой памяти на плавающих затворах[5].

В 1969 году Зи выпустил первое английское издание обзорной монографии «Физика полупроводниковых приборов» (англ. Physics of Semiconductor Devices), впоследствии неоднократно переиздававшейся на шести языках[3]. По данным ISI Press, книга Зи — самая цитируемая работа в своей области[4]. В 1986—1990 годах Зи возглавлял редколлегию IEEE Electron Device Letters. Зи — лауреат премии Эберса 1991 года «за фундаментальный, новаторский вклад [в прикладную науку] и как автору широко используемых учебников и справочников по электронным приборам»[6].

Примечания[править | править код]

  1. 1 2 3 http://www.computerhistory.org/collections/catalog/102746858
  2. Немецкая национальная библиотека, Берлинская государственная библиотека, Баварская государственная библиотека и др. Record #133681998 // Общий нормативный контроль (GND) — 2012—2016.
  3. 1 2 Зи, C. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — 456 с. — 16 000 экз., Зи, C. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — Т. 2. — 456 с. — 16 000 экз.
  4. 1 2 3 Simon Sze: Alumni Profiles. University of Washington. Проверено 18 ноября 2011. Архивировано 9 января 2013 года.
  5. Rako, P. Analog floating-gate technology comes into its own. EDN Network (2009-12-15). Проверено 18 ноября 2011. Архивировано 8 января 2013 года.
  6. Past J.J. Ebers Award Winners. IEEE. Проверено 18 ноября 2011. Архивировано 9 января 2013 года.

Ссылки[править | править код]