Ивченко, Еугениюс Левович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Еугениюс Левович Ивченко
Дата рождения 2 февраля 1946(1946-02-02) (72 года)
Место рождения ЛитССР
Страна Flag of the Soviet Union.svg СССРFlag of Russia.svg Россия
Научная сфера физика полупроводников
Место работы Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,
СПб ГПУ,
Академический университет РАН
Альма-матер Ленинградский политехнический институт
Учёная степень доктор физико-математических наук (1982)
Учёное звание профессор
член-корреспондент РАН (2011)
Награды и премии Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени RUS Medal In Commemoration of the 300th Anniversary of Saint Petersburg ribbon.svg

Еугениюс Левович Ивченко (род. 2 февраля 1946 года) — советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников, член-корреспондент РАН (2011).

Биография[править | править код]

Основной источник: [1]

Родился 2 февраля 1946 года в Литовской ССР.

В 1970 году — с отличием окончил факультет радиоэлектроники Ленинградского политехнического института.

В 1974 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Оптическая ориентация и нелинейное поглощение в полупроводниках».

В 1982 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Новые оптические явления в полупроводниках со сложной зоной структурой».

Работает в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, заведующий сектором.

Профессор кафедры твердотельной электроники физико-технического факультета СПб ГПУ (по совместительству), а также читает курс лекций в Академическом университете РАН.

В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Член клуба «1 июля»[2].

Научная деятельность[править | править код]

Основной источник: [3]

Основные научные результаты:

  • заложено новое направление в нанофотонике — резонансные фотонные кристаллы и квазикристаллы;
  • заложены основы теории слабой локализации в физике твердого тела;
  • предсказаны и исследованы циркулярный фотогальванический эффект, прямой и обратный спин-гальванические эффекты в гиротропных средах, орбитально-долинные фототоки;
  • построена теория тонкой структуры низкоразмерных экситонов;
  • исследованы эффекты, обусловленные анизотропией химических связей на интерфейсах;
  • решены задачи об эффекте Зеемана в наноструктурах и о влиянии магнитного поля, а также электрон-электронного взаимодействия на прецессионный механизм спиновой релаксации;
  • построена теория резонансной слабой гиротропии и магнитоиндуцированной дисперсии диэлектрических осей.

Ведет преподавательскую работу в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете.

Под его руководством защищены 12 кандидатские и 2 докторские диссертации.

Член редколлегии журналов «Физика твердого тела» РАН и «Solid State Communications», член Ученого совета ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, двух диссертационных советов.

Публикации[править | править код]

Основной источник: [4]

Автор более 300 публикаций в научных журналах и трех монографий, в том числе:

  • E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena, Springer-Verlag, 1995; second edition 1997.
  • E.L. Ivchenko, Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures", Alpha Science International, Harrow, UK, 2005.
  • A.N. Poddubny , E.L.Ivchenko, Photonic quasicrystalline and aperiodic structures, Physica E 42(7) (2010) 187.
  • E.L. Ivchenko, S.D. Ganichev, Ratchet effects in quantum wells with a lateral superlattice, Письма в ЖЭТФ 93(11/12) (2011) 752.
  • Е. Л. Ивченко, Спиновая физика в полупроводниковых наносистемах, УФН 182(8) (2012) 869.

Награды[править | править код]

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]