КТ315

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Transistor KT315.svg
КТ315
Структура n-p-n
Uce 15–60 В
Ube 6 В
Ic 50–100 мА
Ib 50 мА
P 100 мВт
Pmax 150 мВт
Рабочие температуры до 100 °C
fгр не ниже 250 МГц
h21e 20–350

КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое распро­с­т­ра­не­ние в советской радиоэлектронной аппаратуре.

История[править | править вики-текст]

КТ315

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.[1] Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.[1]

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.[2]

Применение[править | править вики-текст]

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и звуковой частот.

Технология[править | править вики-текст]

Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 2 раза (ГТ308 - 120 МГц, КТ315 - 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.


КТ361[править | править вики-текст]

КТ361 — биполярный транзистор p-n-p-проводимости.

Комплементарен к КТ315, благодаря чему часто использовался в паре с последним в бестрансформаторных двухтактных схемах. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда в обрамлении двух дефисов слева и справа.

Примечания[править | править вики-текст]

Ссылки[править | править вики-текст]