Категория:Физика полупроводников

• Глоссарий физики полупроводников

А

• Акцептор (физика)

Б

• Барьер Шоттки
• Буферный слой

В

• Валентная зона
• Вырожденный полупроводник

Г

• Гетеропереход
• Гетероструктура
• Гомопереход

Д

• Двумерный электронный газ
• Дельта-легирование
• Дно зоны проводимости
• Донор (физика)
• Дроплетон
• Дырка

З

• Зонная теория

И

• Инверсный слой
• Инжекция
• Инжекция горячих носителей

К

• Квазиуровень Ферми
• Компенсированный полупроводник

Л

• Лавинный пробой

М

• Метод kp
• МОП-структура

Н

• Наноэлектроника
• Невырожденный полупроводник
• Носители заряда

О

• Обратный затвор (электроника)
• Оже-рекомбинация
• Омический контакт
• Опыт Хейнса — Шокли
• Отрицательная абсолютная проводимость

П

• Параметры Латтинжера
• Ударная ионизация
• Полупроводник n-типа
• Полупроводник p-типа
• Полупроводниковые материалы
• Полупроводниковые приборы
• Примесная проводимость полупроводников
• Принцип транслинейности

Р

• Работа выхода

С

• Сверхрешётка
• Сильное легирование
• Слой обеднения
• Слой обогащения
• Собственный полупроводник
• Спейсер (физика)
• Суперинжекция

Т

• Тепловой пробой
• Термогенерация

У

• Уравнение Дирака для графена

Ф

• Физика полупроводников
• Фотопластический эффект
• Фотопроводимость

Ц

• Циклотронный резонанс

Э

• Экситон
• Электронно-дырочная жидкость
• Эффект Ганна
• Эффект Зенера
• Эффект поля
• Эффект Рашбы
• Эффект Франца — Келдыша

N

• N-МОП

P

• P-n-переход