Легирование (полупроводники)

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Леги́рование (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.

При производстве полупроводниковых приборов легирование является одним из важнейших технологических процессов (наряду с травлением и осаждением).

Цели легирования[править | править вики-текст]

Основная цель — изменить тип проводимости и концентрацию носителей в объёме полупроводника для получения заданных свойств (проводимости, получения требуемой плавности p-n-перехода). Самыми распространёнными легирующими примесями для кремния являются фосфор и мышьяк (позволяют получить n-тип проводимости) и бор (p-тип).

Симметричные и несимметричные p-n-переходы[править | править вики-текст]

В зависимости от степени легирования (концентрации донорной и акцепторных примесей), различают симметричные и несимметричные p-n-переходы. В симметричных переходах концентрация носителей в областях полупроводника почти одинакова. В несимметричных переходах концентрации могут различаться во много раз[1].

Способы легирования[править | править вики-текст]

В настоящее время технологически легирование производится тремя способами: ионная имплантация, нейтронно-трансмутационное легирование (НТЛ) и термодиффузия.

Ионная имплантация[править | править вики-текст]

Ионная имплантация позволяет контролировать параметры приборов более точно, чем термодиффузия, и получать более резкие p-n-переходы. Технологически проходит в несколько этапов:

  • Загонка (имплантация) атомов примеси из плазмы (газа).
  • Активация примеси, контроль глубины залегания и плавности p-n-перехода путём отжига.

Ионная имплантация контролируется следующими параметрами:

  • доза — количество примеси;
  • энергия — определяет глубину залегания примеси (чем выше, тем глубже);
  • температура отжига — чем выше, тем быстрее происходит перераспределение носителей примеси;
  • время отжига — чем дольше, тем сильнее происходит перераспределение примеси.

Нейтронно-трансмутационное легирование[править | править вики-текст]

При нейтронно-трансмутационном легировании легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются («трансмутируют») из атомов исходного вещества (кремний, арсенид галлия) в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества нейтронами. НТЛ позволяет получать монокристаллический кремний с особо равномерным распределением атомов примеси. Метод используется в основном для легирования подложки, особенно для устройств силовой электроники[2].

Когда облучаемым веществом является кремний, под воздействием потока тепловых нейтронов из изотопа кремния 30Si образуется радиоактивный изотоп 31Si, который затем распадается с образованием стабильного изотопа фосфора 31P. Образующийся 31P создаёт проводимость n-типа.

В России возможность нейтронно-трансмутационного легирования кремния в промышленных масштабах на реакторах АЭС и без ущерба для производства электроэнергии была показана в 1980 году. К 2004 году была доведена до промышленного использования технология по легированию слитков кремния диаметром до 85 мм, в частности, на Ленинградской АЭС.[3].

Термодиффузия[править | править вики-текст]

Термодиффузия содержит следующие этапы:

  • Осаждение легирующего материала.
  • Термообработка (отжиг) для загонки примеси в легируемый материал.
  • Удаление легирующего материала.

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Акимова Г. Н. Электронная техника. — Москва: Маршрут, 2003. — С. 23. — 290 с. — ISBN ББК 39.2111-08.
  2. Технологии модифицирования полупроводниковых материалов
  3. Радиационные технологии на Ленинградской атомной станции