Модель МОП-транзистора ЭКВ

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

ЭКВ — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 года, когда же основа модели была заложена в 1980-х годах.[2] В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если Vbulk=Vsource тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области Vgate-source < VThreshold). Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикро-нных (submicrometre КМОП) интегральных схем (IC).



Ссылки[править | править исходный текст]

  1. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "«An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications»", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design Т. 8: 83-114, July 1995 
  2. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "«A CMOS Chopper Amplifier»", IEEE Journal of Solid-State Circuits Т. 22 (3): 335-342, June 1987 

См. также[править | править исходный текст]

Ссылки[править | править исходный текст]

  • Web Page of Christian Enz [1]
  • Web Page of François Krummenacher [2]
  • About Eric Vittoz [3]
  • Main Web Page for the EKV Model [4]