НИИМЭ и Микрон

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
НИИМЭ и Микрон
Тип

Открытое акционерное общество

Основание

1964

Расположение

Флаг России Зеленоград, Россия

Ключевые фигуры

Красников Геннадий Яковлевич (генеральный директор)

Отрасль

Электроника

Продукция

Интегральные схемы

Число сотрудников

1806 (2012)[1]

Материнская компания

НПО «Научный центр» (до начала 1990-х),
ОАО «Ситроникс» (1997—2013), ОАО «РТИ» (с 2013 года)

Сайт

mikron.ru

ОАО «НИИМЭ и Микрон» — российская компания, производителей интегральных схем и RFID-продукции, основана 9 марта 1964 года как НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ), при котором 1 февраля 1967 года был создан завод «Микрон». В настоящее время основной акционер компании — АФК «Система» (через дочерний отраслевой холдинг ОАО «РТИ»).

До распада СССР завод «Микрон» вместе с зеленоградским заводом «Ангстрем» и минским объединением «Интеграл») являлся основным производителем интегральных схем в СССР.

История[править | править вики-текст]

В 1970-е годы «Микроном» впервые в стране разработаны и изготовлены цифровые и аналоговые интегральные схемы массового применения.

В 1970-1980-е годы создан способ изготовления структуры микросхем с боковой изоляцией диэлектриком (процесс «эпипланар»), отработан первый отечественный техпроцесс изготовления интегральных схем с изоляцией окислом («изопланар») – основа производства биполярных ИС последующего поколения, разработан и внедрен базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования и внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС. На «Микроне» создано производство на основе отечественных «чистых комнат», организован промышленный выпуск интегральных схем для отечественных супер-ЭВМ, разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802 для комплексов ПВО, осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения космических программ «Марс» и «Венера».

12 апреля 1984 года Указом Президиума Верховного Совета СССР НИИМЭ и завод «Микрон» награждены орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

В 1991 году «Микрон» возглавил Геннадий Яковлевич Красников, пришедший на завод в 1981 году и последовательно занимавший должности инженера, ведущего инженера, начальника модуля, начальника цеха, заместителя генерального директора.

В 1990-е годы «Микрон» продолжает заниматься разработками новых технологий и модернизирует производство. Разработана технология БиКМОП. Предприятие получило право самостоятельного выхода на зарубежные рынки – начата серийная поставка кристаллов интегральных схем для фирмы «Samsung»[2].

13 января 1994 года НИИМЭ и завод «Микрон» были акционированы как единая компания - акционерное общество открытого типа «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон».

В середине 1990-х годов на «НИИМЭ и Микрон» построена новая «чистая комната», начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8 мкм. В 1999 г. получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.

В мае 1997 года «НИИМЭ и Микрон» вошла в состав холдинга «Концерн «Научный Центр».

В 2000 году на базе Воронежского завода полупроводников создана дочерняя компания ЗАО «ВЗПП-Микрон».

В 2002 году «НИИМЭ и Микрон» вошла в состав ОАО «Ситроникс» (ранее «Концерн «Научный Центр») как головное предприятие бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектронные решения» (позднее «Ситроникс Микроэлектроника»).

В 2006 году «НИИМЭ и Микрон» реализует масштабный инвестиционный проект, направленный на модернизацию производства и строительство полного замкнутого производственного цикла: от пластины с чипами до готовой продукции, востребованной рынком. В марте было открыто производство SIM-карт для телекоммуникационной отрасли.

В июле 2006 года «НИИМЭ и Микрон» подписал соглашение с франко-итальянской компанией STMicroelectronics о передаче технологии производства микросхем с топологическим уровнем 180 нм.

В августе 2006 года  «НИИМЭ и Микрон» начал производство чип-модулей для контактных смарт-карт, в декабре приступил к освоению полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и с 2007 года начал поставки билетов для Московского Метрополитена[3].

12 декабря 2007 года предприятием было объявлено о начале производства микросхем с топологическим размером 180 нанометров[4]. Заявленная проектная мощность предприятия — 18 тыс. 200-мм пластин в год. «Микрон» приобрел и установил 238 единиц оборудования, поставки которого обеспечили более 40 компаний разных стран мира. Инвестиции в проект составили 300 млн долларов США. Государство на начальной стадии проекта вложило в него около 300 млн.рублей в рамках Федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы»

В октябре 2009 года госкомпания «Роснано» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе производственной площадки и инфраструктуры ОАО «НИИМЭ и Микрон» серийного производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах диаметром 200 мм (ООО «Ситроникс-Нано)[5]. Общий объем финансирования проекта составил 16,5 млрд рублей. Запланированная мощность производства — 3000 пластин в месяц. Сроком начала производства микросхем был заявлен 2010-2011 год.

В 2010 году акционерный капитал компании распределялся следующим образом: 77,08% – ОАО «Ситроникс», 10% – Росимущество, 12,92% – миноритарные акционеры.

Летом 2011 года исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и Микрон» был выделен в отдельную дочернюю компанию ОАО «НИИМЭ», при этом головная компания сохранила свою название. Целью выделения стала разработка новых продуктов на технологическом уровне 180-90 нм и развитие технологий уровня 65-45 нм и менее.

В феврале 2012 года запущена линия по производству кристаллов ИС с топологическим уровнем 90 нм, которая позволила нарастить производственную мощность завода в два раза - до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год[6].

В 2012 года совместно с ФУО «УЭК» разработан[7] отечественный чип для «Универсальной Электронной Карты», производство которого началось в 2013 году[8].

В 2013 году «НИИМЭ и Микрон» запустил производство микросхем для российского биометрического загранпаспорта нового образца[9]. На начало 2015 года поставлено более 6 млн чипов.

В 2013 году «НИИМЭ и Микрон» запустил производство бесконтактных смарт-карт для оплаты проезда «Тройка» для ГУП Московский Метрополитен[10].

В мае 2013 года «НИИМЭ и Микрон» начинает процедуру консолидации производственных активов выкупом 12,5% доли «Роснано» в проектной компании «Ситроникс-Нано»[11].

В сентябре 2013 года «НИИМЭ и Микрон» в результате реорганизации концерна «Ситроникс» был переподчинен холдингу ОАО «РТИ».

В декабре 2013 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершил разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм – были получены первые работающие тестовые кристаллы[12][13]. Этот проект ОАО «НИИМЭ и Микрон» был удостоен премии «CNews AWARDS 2014» в номинации «Российские технологии»[14], а также общероссийской независимой премией «Золотой Чип 2014» в номинации «За вклад в развитие российской электроники»[15]. Массовое производство по топологии 65 нм планировалось открыть в 2014 году[16], однако этого не произошло. На начало 2015 года создание участка для производства кристаллов интегральных схем с данной топологией продолжается.

В мае 2014 г. «Микрон» в ходе проведения дополнительной эмисии консолидировал 100% ООО «Ситроникс-Нано». Ранее предприятию принадлежало в капитале «Ситроникс-Нано» 62,33%, еще 37,67% компания получила от «Роснано». В результате сделки «Роснано» стало акционером ОАО «НИИМЭ и Микрон»[17].

В конце 2014 г. «НИИМЭ и Микрон» выпустил первые полностью отечественные двухъядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ», разработанные ЗАО «МЦСТ» по технологии 90 нм[18].

Акционеры[править | править вики-текст]

На июль 2014 г. (после проведения допэмиссии) крупнейшими акционерами ОАО «НИИМЭ и Микрон» являются:

Остальные акции распределены между миноритарными акционерами.

Галерея[править | править вики-текст]

Дочерние предприятия[править | править вики-текст]

  • ОАО «НИИМЭ» (НИИ молекулярной электроники) — выделено в отдельную компания в 2011 году
  • ОАО «НИИТМ» (НИИ точного машиностроения) — основано в 1962 году
  • ООО «Ситроникс Микродизайн»
  • ООО «Ситроникс Смарт Технологии»

Известные сотрудники[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. «Ангстрем» покинуло около 150 сотрудников // Zelenograd.ru. 15 июля 2013 года
  2. Елена Покатаева. «Повелитель чипов», «Итоги» (№45/856 (05.11.12)).
  3. «Микрон» готов поставлять более дешевые билеты московскому метрополитену", Zelenograd.ru (07.09.2011).
  4. Елена Панасенко. НИИМЭ «Микрон»: запуск нового производства микросхем топологии 0,18 микрона, Zelenograd.ru (17.12.2007).
  5. Роснано. Роснано и АФК «Система» подписали договор о создании производства микросхем с проектными нормами 90 нм. Роснано (09 октября 2009).
  6. Линия производства 90-нм микросхем запущена в Зеленограде, РИА Новости (17.02.2012).
  7. Мария Петрова. «УЭК» распробовала чипы «Микрона», ComNews (23.05.2012).
  8. Мария Петрова. "УЭК пошла в народ", ComNews (21.01.2013).
  9. Денис Легезо. "Биопаспорта переходят на российские чипы", CNews (22.01.13).
  10. «Микрон» сделает для метрополитена 5,5 миллионов карт «Тройка», Zelenograd.ru (12.07.2013).
  11. "Микрон" выкупил 12,5% СП у «Роснано» за 2 млрд руб", РИА Новости (30.05.2013).
  12. Игорь Цуканов. «Микрон» уменьшился в размере, «Ведомости» (19.02.2014).
  13. В России выпущены первые 65-нм микросхемы / CNews, 18.02.14
  14. Состоялась церемония награждения CNews AWARDS 2014, CNews (21.11.2014).
  15. «Микрон» получил премию «Золотой Чип» в номинации «За вклад в развитие российской электроники», «Время электроники» (01.04.2015).
  16. «Микрон» запустит в 2014 году производство микросхем 65 нанометров», РИА Новости (19.02.2014).
  17. Павел Кантышев. «Роснано» получила блокпакет «Микрона», "Ведомости" (21.07.2014).
  18. ЗАО «МЦСТ» начинает выпуск системных плат «Монокуб-М» с микропроцессорами «Эльбрус-2СМ», IXBT (27.12.2014).

Ссылки[править | править вики-текст]

Координаты: 56°00′47″ с. ш. 37°11′31″ в. д. / 56.013194° с. ш. 37.192083° в. д. / 56.013194; 37.192083 (G) (O)