Научно-исследовательский институт электронной техники

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
АО «Научно исследовательский институт электронной техники»
Тип Акционерное общество
Основание 9 мая 1961 года
Прежние названия Центральное конструкторское бюро при Воронежском заводе полупроводниковых приборов
Ключевые фигуры

Генеральный директор: Кожанов Дмитрий Александрович.

Заместитель генерального директора — главный конструктор: Крюков Валерий Петрович
Отрасль Радиоэлектроника
Продукция микроконтроллеры, микропроцессоры, АЦП, ЦАП, процессоры цифровой обработки сигналов, ВЧ и СВЧ транзисторы
Число сотрудников 500
Сайт niiet.ru

Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») — советский и российский институт, созданный 9 мая 1961 года как «Центральное конструкторское бюро» согласно Приказу по организации п/я 111 №204 и в соответствии с Постановлением Воронежского Совета Народного хозяйства.

Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники специального и гражданского назначения: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона.

С 2012 года входит в состав концерна «Созвездие» Объединённой приборостроительной госкорпорации Ростех.

История[править | править код]

В 1961 году при «Воронежском заводе полупроводниковых приборов» («ВЗПП») было учреждено Центральное конструкторское бюро.

В 1965 году на предприятии были разработаны первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики.[1]

В 1964 году в ЦКБ при ВЗПП началась активная работа по созданию отечественной интегральной микросхемы. В отделе, занимающимся разработкой планарных транзисторов, была создана группа перспективной (критической) технологии во главе с Никишиным В. И. Целью работы этой группы было создание элементов твердых схем: диодов, транзисторов, резисторов.
В короткие сроки к декабрю 1965 года ученые разработали и получили опытные образцы полупроводниковых интегральных схем «Титан». В 1966 году образцы были переданы на завод в серийное производство. Таким образом, в Воронеже были созданы первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики по твердотельной технологии с диэлектрической изоляцией компонентов серии 104[2].

В декабре 1969 года «ЦКБ при ВЗПП» вошло в состав НПО «Электроника».

В 1983 году ЦКБ стало самостоятельным предприятием: его переименовали в «Научно-исследовательский институт электронной техники»[1]. В конце 80-х «НИИЭТ» стал головным институтом по разработке цифровых сигнальных процессоров.

В 1994 году «НИИЭТ» был переименован в Государственное предприятие «НИИЭТ» (ГП «НИИЭТ»). В 2002 году - в Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИЭТ» (ФГУП «НИИЭТ»).

В конце 2012 года предприятие вошло в интегрированную структуру Концерна «Созвездие», передав предприятию 99,99 % своих акций в уставном капитале.[3][4].

АО «НИИЭТ»
АО «НИИЭТ» (г. Воронеж, ул. Старых Большевиков 5)

С октября 2012 года институт преобразован в ОАО «НИИЭТ».

В 2014 году ОАО «НИИЭТ» вошло в состав холдинга АО «Объединенная приборостроительная корпорация» (АО «ОПК») ГК «Ростех», объединившего научные и производственные предприятия радиоэлектронной промышленности России.

В августе 2016 года компания переименована в АО «НИИЭТ».

В 2017 году АО «НИИЭТ» вошло в контур дивизиона ЭКБ и СВЧ радиоэлектроника АО «ОПК» ГК «Ростех».

Основные виды деятельности[править | править код]

  • разработка и производство интегральных микросхем (в т.ч. устойчивых к воздействию спецфакторов);
  • разработка и производство ВЧ и СВЧ-транзисторов, модулей усиления мощности СВЧ-диапазона;
  • испытание, измерение и сертифицирование отечественных и импортных электронных компонентов.

Продукция[править | править код]

За период своего существования институтом было создано более 250 типономиналов изделий.

Максимальная производственная мощность: около 300 000 единиц изделий в год.

Виды продукции

  • 8,16,32- разрядные микроконтроллеры;
  • 16,32- разрядные процессоры цифровой обработки сигналов;
  • цифро-аналоговые преобразователи;
  • аналого-цифровые преобразователи;
  • интерфейсные интегральные микросхемы;
  • ВЧ и СВЧ-транзисторы диапазона частот 0-12000 МГц с выходной мощностью от 0,5 до 800 Вт непрерывного и импульсного режимов работы;
  • модули СВЧ-усилителей мощности с выходной мощностью от 5 до 2000 Вт.

Сводные характеристики производимых изделий

1. Микроконтроллеры (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):

Разрядность: 8,16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 8 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: MCS 51 (Intel), ARM (ARM Limited), AVR-RISC (Atmel), MCS-96, С-166/167, RISC (32 бит), CISC+RISC MCS-96 (32 бит) и др.

2. Процессоры цифровой обработки сигналов (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):

Разрядность: 16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 12 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: С-25(16 бит), С-50(16 бит), С-54(16 бит), F-240(16 бит), C-30(32 бит), C-40(32 бит), Sparc LEON(32 бит).

3. Аналого-цифровые преобразователи: 16- разрядные.

4. Цифро-аналоговые преобразователи (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): 8-24- разрядные.

5. ВЧ и СВЧ-транзисторы

Диапазон частот: от 0 до 12 ГГц;
Выходная мощность 0,5-1000Вт.
Типы:

  • Биполярные транзисторы (Bipolar);
  • Полевые транзисторы (FET, MOSFET);
  • Полевые транзисторы с распределенным затвором (LDMOS);
  • Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN).

6. СВЧ-модули

Диапазон частот: от 0,15 до 3,1 ГГц;
Выходная мощность: от 0,5 от 2000Вт.

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

Литература[править | править код]

  • Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Черноземного края, 2013.
  • Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11.

Ссылки[править | править код]