Нитрид индия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Нитрид индия(III)»)
Перейти к: навигация, поиск
Нитрид индия
Общие
Систематическое
наименование

Нитрид индия(III)

Хим. формула

InN

Физические свойства
Состояние

черные кристаллы

Молярная масса

128,83 г/моль

Плотность

6,86-6,91 г/см³

Классификация
Рег. номер CAS

25617-98-5

PubChem
SMILES
InChI
ChemSpider
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Нитрид индия (InN) — бинарное неорганическое соединение металла индия и азота с формулой InN, чёрные кристаллы.

Получение[править | править вики-текст]

Физические свойства[править | править вики-текст]

Нитрид индия образует чёрные диамагнитные кристаллы гексагональной сингонии, пространственная группа P 6mc, параметры ячейки a = 0,3533 нм, c = 0,5692 нм, Z = 2.

Полупроводник с шириной запрещённой зоны порядка ~0,7 эВ , в зависимости от температуры. При температурах ниже 4 К — сверхпроводник.

Применение[править | править вики-текст]

Нитрид индия добавляют в нитрид галлия при производстве ультрафиолетовых, синих светодиодов. Перспективен также как материал для солнечных батарей, с утилизацией света с длиной волны до 1900 нм.

Лите[1]ратура[править | править вики-текст]

  • Справочник химика / Редкол.: Никольский Б.П. и др.. — 2-е изд., испр. — М.-Л.: Химия, 1966. — Т. 1. — 1072 с.
  • Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. — М.: Мир, 1971. — Т. 1. — 561 с.


  1. T.Inushima, V.V.Mamutin, et al. [J.Cryst.Growth, 227/228, 481-485, 2001. Physical properties of InN with band gap lower than 1.0 eV.] (англ.) // Proc. of XI-th Intern.Conf. on MBE, Beijing,2000. — 2000. — 1 сентября (№ 227/228). — С. 481-485.