Орликовский, Александр Александрович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Александр Александрович Орликовский
Александр Александрович Орликовский.jpg
Дата рождения 12 июня 1938(1938-06-12)
Место рождения Москва, СССР
Дата смерти 1 мая 2016(2016-05-01) (77 лет)
Страна Flag of the Soviet Union.svg СССРFlag of Russia.svg Россия
Научная сфера микро- и наноэлектроника
Место работы ФТИАН
Альма-матер МИФИ
Учёная степень доктор технических наук
Учёное звание профессор,
академик РАН
Награды и премии
Орден Дружбы RUS Medal In Commemoration of the 850th Anniversary of Moscow ribbon.svg
Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники Премия Правительства Российской Федерации в области образования

Алекса́ндр Алекса́ндрович Орлико́вский (12 июня 1938 года, Москва — 1 мая 2016 года, Москва) — советский и российский физик, доктор технических наук (1982), профессор (1984), академик РАН (2008), директор и научный руководитель Физико-технологического института РАН (ФТИАН).

Биография[править | править код]

Родился в 1938 году в семье белоруса, уроженца Витебской губернии, участника Гражданской войны, начальника штаба 8-й Дальневосточной кавалерийской дивизии ОКДВА полковника РККА Александра Ивановича Орликовского и москвички из бывшей купеческой семьи Натальи Сергеевны Мальковой. Ещё до рождения А.А. Орликовского его отец был репрессирован.

Научная карьера[править | править код]

Выпускник Московского инженерно-физического института 1961 года.

В 19611963 годах работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения.

В 19631966 годах — аспирант Московского института электронного машиностроения.

В 19691984 годах (последовательно) старший преподаватель, доцент, профессор кафедры интегральных полупроводниковых схем (ныне кафедра интегральной электроники и микросистем) Московского института электронной техники.

В 19811985 годах — старший научный сотрудник сектора микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН), в 19851988 годах заведующий лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов отдела микроэлектроники Института общей физики (ИОФАН).

С 1988 года (после выделения отдела в Физико-технологический институт) заведующий лабораторией (19882001), заместитель директора по научной работе (20012005), директор (20052015), научный руководитель ФТИАН (20152016).

Начиная с работы в МИЭТ, научная карьера и деятельность Орликовского была тесно связана с научной карьерой и деятельностью академика Валиева. Орликовский, как и Валиев, последовательно переходил сначала в ФИАН, затем в ИОФАН и в ФТИАН. Наконец, в 2005 году, когда Валиев ушёл с должности директора ФТИАН, новым директором был избран именно Орликовский.

Читал лекции на кафедре физических и технологических проблем микроэлектроники факультета физической и квантовой электроники МФТИ[1].

Член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Скончался 1 мая 2016 года в Москве. Похоронен на Троекуровском кладбище (участок 25а)[2].

Основные научные результаты[править | править код]

  • Выполнены с внедрением в спецаппаратуре пионерские работы по полупроводниковым интегральным схемам памяти (концепция, схемы выборки, структуры, коллективные явления).
  • Разработаны плазменные процессы (травления, осаждения, имплантации и др.) в технологии кремниевой наноэлектроники; разработаны методы мониторинга плазменных процессов, созданы высокочувствительные детекторы момента окончания процессов; разработан томограф низкотемпературной плазмы для контроля 2В-распределений концентраций радикалов и ионов.
  • Разработаны оригинальные конструкции СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы; созданы автоматизированные технологические плазменные установки, предназначенные для применения как в исследовательских, так и в промышленных целях.
  • Разработаны новые технологии силицидизации контактов к мелкозалегающим p-n переходам; получены приоритетные результаты в исследованиях кинетики фазообразования силицидов.
  • Разработана физическая модель баллистических нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе» с учетом квантовых эффектов; созданы нанотранзисторы с суб-100 нм каналами.

Награды[править | править код]

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]