Садыгов Зираддин Ягуб оглы

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Sadygov.jpg
Садыгов Зираддин Ягуб оглы
Род деятельности Ученый

Биография[править | править код]

Садыгов Зираддин Ягуб оглы Родился 20 марта 1954 года в Товузском районе Азербайджанской ССР. Окончил сельскую среднюю школу в 1972 году и в том же году был принят на физический факультет Азербайджанского государственного университета. В 1975 году по конкурсу переведен на «спецфакультет» МИФИ. В 1978 году, окончив «Факультет твердого тела» МИФИ, поступил в аспирантуру. В 1982 году защитил диссертацию на тему «Физические процессы многослойных элементов памяти металл-нитрид кремния-оксид кремния-полупроводник» в Институте Физики. В 1982–1993 годах работал заведующим сектором в секторе "Полупроводниковые детекторы" отдела глубоководного детектирования нейтрино ИЯИ РАН. Здесь под его руководством были разработаны новые лавинные фотодиоды на основе многослойных кремниевых структур. В 1990 году я стал соавтором первого прототипа микропиксельного фотодиода со структурой МРП (металл-резистор-полупроводник) на основе структуры Si-SiC-Ti. По его параметрам, т.е. коэффициенту усиления, площади активной поверхности и т. д. превосходит существующие в мире прототипы (см. Письмо в JTF, 1990, том 6, т.1, стр.14-17) *. С 1994 года работает в Лаборатории физики высоких энергий Объединенного института ядерных исследований. В 1996 г. создал микропиксельный лавинный фотодиод (МЛФД) (З.Я. Садыгов, Патент РФ №2102820 от 20.01.98, приоритет от 10.10.1996). Является автором 15 международных патентов и более 70 оригинальных научных статей.

Публикации[править | править код]

  1. А.Ф.Плотников, З.Я.Садыгов, В.Н.Селезнев. Влияние величины протекшего заряда на скорость разрядки захваченного заряда в МНОП-элементах памяти. – Письма в ЖТФ, 1980, т.6, вып.7, стр.431-434.
  2. А.Ф.Плотников, Р.Г.Сагитов, З.Я.Садыгов, В.Н.Селезнев. Восстановление характеристик деградированных МНОП-структур при комнатной температуре и влияние света на скорость восстановления. – Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1980, №5, стр.22-27.
  3.   А.Ф.Плотников, З.Я.Садыгов, В.Н.Селезнев. О механизме изменения энергии активации проводимости в МНОП-элементах памяти. – Письма в ЖТФ, 1980, т.6, вып.20, стр.1220-1222.
  4. А.Ф.Плотников, Р.Г.Сагитов, З.Я.Садыгов, В.Н.Селезнев. Нестационарная проводимость МНОП-структур в области высоких электрических полей. – Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1980, №5, стр.27-30.
  5. З.Я.Садыгов. Физические процессы в структурах металл-нитрид кремния-двуокись кремния-полупроводник. – Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н., Москва, ФИАН, 1981.
  6. И.М.Железных, А.Ф.Плотников, З.Я.Садыгов, В.Э.Шубин. Полу проводниковые  фотоприемники  и проект экспериментов  по глубоководному детектированию мюонов и нейтрино.- Краткие сообщения по физике ФИАН России, 1984, N5, с.19-22.
  7. С.Я.Алейников, З.Я.Садыгов и  др.  О возможности  работы лавинных  МДП- фотоприемников  и других  полупроводниковых элементов  ядерно-физической  аппаратуры  в глубоководных условиях.- Краткие сообщения по физике ФИАН России, 1984, N5, с.23-25.
  8. З.Я.Садыгов. О кинетике формирования фотоотклика в лавинных МДП-структурах. – Препринт ИЯИ АН России, П-0434, 1985.
  9. З.Я.Садыгов. Фотоотклик лавинной МДП-структуры. – Материалы Всесоюзного совещания по ФИЛ-приборам, Суздаль, 1986, с.9.
  10. М.Г.Акопян,  А.Г.Гасанов,  С.М.Савранский,  З.Я.Садыгов. К теории импульсного лавинного процесса в МДП-структурах.- Препринт ИЯИ АН России, П-0557, 1987.
  11. Гасанов А.Г.,  Садыгов З.Я.  О нестабильности коэффициента усиления фототока  в  лавинной МДП-структуре.-  Материалы Всесоюзного совещания  по лавинным ФИЛ-приборам,  Суздаль, 1986,  с.26.
  12. А.Г.Гасанов, В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Влияние локальных неоднородностей в полупроводниковой подложке на характеристики лавинных фотоприемников.- Письма в ЖТФ, 1990, т.6, в.1, с.14-17.
  13. А.Г.Гасанов, В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Лавинный фотоприемник на основе структуры металл-резистивный слой-полупроводник.- Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в.8, с.706-709.
  14. А.Г.Гасанов, В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Фотоприемник с внутренним усилением на основе  структуры  кремний- карбид кремния- металл.- Микроэлектроника, 1989, т.18, с.88-90.
  15. В.М.Головин,  З.Я.Садыгов,  Н.Ю.Юсипов.  Новые лавинные МРП-фотоприемники.- Материалы  Всесоюзной  конференции "Проблемы оптической памяти", Москва, 1990, с.224.
  16. А.Г.Гасанов,  В.М.Головин,  В.Г.Летягин,  З.Я.Садыгов, Н.Ю. Юсипов.  Особенности  усиления фототока  в  лавинных МРП- структурах.- Препринт  ИЯИ АН России, П-0673, 1990.
  17. В.Летягин, З.Я.Садыгов.  Модель  формирования  импульсного фототока в лавинном МРП-фотоприемнике.-  Труды Всесоюзной конференции "Проблемы  оптической  памяти",  Москва, 1990, с.203-204.
  18. З.Я.Садыгов,  Н.Ю.Юсипов,  Ю.С.Винокуров, Э.Х.Гуланян. Многоканальная линейка лавинных фотодиодов для голографической ситемы памяти.-  Труды Всесоюзной  конференции "Проблемы оптической памяти", Москва, 1990, с.236-238.
  19. Z.Ya.Sadygov, A.G.Gasanov, N.Y.Yusipov, V.M.Golovin, E.N.Gulanian, Y.S.Vinokurov,  A.V.Simonov.  The investigation of possibility to create  the multichannel photodiode  based on the avalanche MRS-structure.-Proc. Int. Conf., The International Society for Optical Engineering, Zvenigorod, Russia, April 2-6. SPIE, 1991, v.1621, p.158-164.
  20. Z.Y.Sadygov, I.M.Zheleznykh,  T.A.Kirillova.  Novel light quantum and nuclear particle  detectors based on the avalanche metal-resistivity layer-semiconductor structure.- Applied Surface Science, 92, (1995), p.575-578.
  21. Z.Y.Sadygov, I.M.Zheleznykh, A.E.Luk'yanov, A.Yu.Morozov. SEM investigation of avalanche matrix photodetector.- Proc. IX Russian Symposium  on  Scannig electron microscopy and   analytical methods of solids investigations. Chernogolovka, Russia,  May 22-24, 1995, p.31-33.
  22. D.Bisello,  Yu.Gotra,  V.Jejer, V.Kushpil,   N.Malakhov, A.Paccagnella, D.Pantano, Z.Sadygov. Metal-Resistive layer-Silicon (MRS) avalanche detectors with negative feedback.- NIM, 1995, А 360 , p.83-86.
  23. D.Bisello,  Yu.Gotra,  V.Jejer, V.Kushpil,  N.Malakhov, A.Paccagnella,  D.Pantano,  Z.Sadygov.   Electrical characteristics of Metal-Resistive  layer-Silicon (MRS) avalanche detectors.- Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 1995, 44, p.397-401.
  24. S.Afanasiev,  Yu.Anisimov, Yu.Gotra, V.Jejer, V.Kolesnikov, V. Kushpil,  A.Malakhov,  N.Malakhov,  S.Reznikov, G.Sokol, Z.Sadygov,  E.Tsyganov.  MRS Silicon Avalanche  Detectors      with Negative Feedback for Time-Of-Flight Systems.- Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 1995, 44, p.402-405.
  25. D.Bisello,  Yu.Gotra,  V.Jejer, V.Kushpil,  N.Malakhov, A.Paccagnella,  Z.Sadygov, I.Stavitsky, E.Tsyganov.  Silicon Avalanche  Detectors with Negative Feedback as Detectors for High Energy Physics.- NIM, 1995, A 367, p.212-214.
  26. Bacchetta N., Bisello D., Gotra Yu., Jejer V., Malakhov N., Paccagnella A., Pantano D. and Sadygov Z. New  type of metal-resistive layer-silicon avalanche detectors for visible and UV light detection.- NIM,  1996, A 383, p.263-265.
  27. Z. Ya. Sadygov, I. M. Zheleznykh, N. A. Malakhov, V. N. Jejer, T. A. Kirillova, “Avalanche Semiconductor Radiation Detectors”, IEEE Trans. Nucl. Sci., 43, 3, (1996), 1009-1013.
  28. Z.Y. Sadygov, I.M. Zheleznykh and T.A. Kirillova. Novel light quantum and nuclear particle detectors based on the avalanche metal-resistivity layer-semiconductor structure. Applied Surface Science, 92 (1996), 575-578.
  29. P. P. Antich, E. N. Tsyganov, N. A. Malakhov, Z. Ya. Sadygov, “Avalanche Photo Diode with Local Negative Feedback Sensitive to UV, Blue and Green Light”, Nucl. Instrum.and Methods in Phys.Res.A389 (1997) 401-498.
  30. Z. Ya. Sadygov and T.V. Jejer, “Influence of charge flow along a semiconductor surface on the nature of the multiplication coefficient in a silicon-wide-gap layer structure”, Tech.Phys.Lett. 23 (1997) 324.
  31. З.Я.Садыгов. Физические процессы в лавинных фотоприемниках на основе структыры кремний-широкозонный слой. – Диссертация на соискание ученой степени доктора ф.м.н., Москва, МИФИ, 1997.
  32. Z. Ya. Sadygov, I. M. Zheleznykh et al., “Microchannel avalanche semiconductor photodete status and perspectives”, Proc.SPIE, v.3516, (1999), p.167-175.
  33. Z. Ya. Sadygov, M. K. Suleimanov and T. Yu. Bokova., “ Hypersensitive Avalanche Photodiode with Surface Transport of Charge Carriers”, Technical Physics Letters, v. 26, N 4, (2000), p.305-306.
  34. Z. Ya. Sadygov, T. M. Burbaev, V. A. Kurbatov, “An Avalanche Photodiodes with Metal-Insulator-Semiconductor Properties“, Semiconductors, v.35, N1, (2001), p.117-121.
  35. Z. Ya. Sadygov, V. N. Jejer, Yu. V. Musienko, T. V. Sereda, A. V. Stoikov, I. M. Zheleznykh, Supersensitive avalanche silicon photodiode with surface transfer of charge carriers”.- Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res., A504 (2003), 301-303.
  36. Z. Ya. Sadygov, Alekperov O., Safarov N.A., Jafarov E., Sadygov Z., Suleimanov M., Madatov R., Musaev M. A new  low-noise avalanche photodiode with micro-pixel structure, Fizika,  v.4, 2004, p.126-127.
  37. R.Mehtieva, A.Nadzhafov, M.Musaev, N.Musaeva, Z.Sadygov, E.Taptygov. “Investigation of photoelectric characteristics of silicon avalanche micro-pixel structures with surface drift of charge carriers”,  Fizika,  v.4, 2004, p.56-57.
  38. I. Britvitch, E. Lorenz, A.Olshevski, D. Renker, Z. Sadygov, R. Scheuermann, A. Stoykov, A. Werner, I. Zheleznykh and V. Zhuk. Study of avalanche microchannel photodiodes for use in scintillation detectors.  JINST, 1, (2006), P088002.
  39. Z. Sadygov, A. Olshevski, I. Chirikov, I. Zheleznykh, A. Novikov. “Three advanced designs of micro-pixel avalanche photodiodes: their present status, maximum possibilities and limitations”. Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res. A 567 (2006), 70–73.
  40. I. Britvitch, E. Lorenz, A. Olshevski, D. Renker, Z. Sadygov, R. Scheuermann, A. Stoykov, A.Werner,    I. Zheleznykh. “Development of scintillation detectors based on o avalanche microchannel photodiodes”. Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res., A 571 (2007) 317- 320.
  41. R. Scheuermann, A. Stoykov, D. Renker, Z. Sadygov, R. Mehtieva, A. Dovlatov, V. Zhuk “Scintillation detectors for operation in high magnetic fields: Recent developments based on arrays of avalanche microchannel photodiodes”.  Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res., A 581 (2007) 443-446.
  42. I. Johnson, Z. Sadygov, O. Bunk, A.Menzel, F. Pfeiffera, and D. Renker. “Geiger-mode avalanche photodiode array for X–ray photon correlation spectroscopy.”J. Synchrotron Rad. (2008). 57, 1–5.
  43. Z.Sadygov, A.F.Zerrouk, A.Ariffin, S.Khorev, J.Sasam, T.Bokova, A.Olshevski, N.Anfimov, V. Chalishev, N.Pilyar, M.Troitskaya, A.Dovlatov, M.Musaev, R.Muxtarov. “Spatial distribution of photo-sensitivity in new micro-pixel avalanche photo diodes: Assembly of 64-elementarrays”. Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res.,  A 610 (2009) 390–392.
  44. Z.Sadygov, A.F.Zerrouk, A.Ariffin, S.Khorev, J.Sasam, N.Anfimov, A.Dovlatov, M.Musaev, R.Muxtarov, N.Safarov. “Performance of a new micro-pixel avalanche photo diodes from Zecotek Photonics”. Nucl. Instrum. and Methods in Phys. Res.,  A 610 (2009) 381–383.
  45. З. Садыгов, А. Ольшевский, Н. Анфимов, Т. Бокова,А. Довлатов, В. Жежер, З. Крумштейн, Р. Мехтиева,Р. Мухтаров, М. Троицкая, В. Чалышев,И. Чириков-Зорин, В. Шукурова. Микроканальный лавинный фотодиод с широким диапазоном линейности. Письма в ЖТФ, 2010, том 36, вып. 11 c.83-86.
  46. N. Anfimova, I. Chirikov-Zorin,_, A. Dovlatov, O. Gavrishchuk a, A. Guskov a, N. Khovanskiy, Z. Krumshtein, R. Leitner a, G. Meshcheryakov, A. Nagaytsev, A. Olchevski a, T. Rezinko, A. Sadovskiy, Z. Sadygov, I. Savin, V. Tchalyshev, I. Tyapkin, G. Yarygin, F. Zerrouk. “Beam test of Shashlyk EM calorimeter prototypes readout by novel MAPD with super high linearity”. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 617 (2010) 78–80.
  47. Z.Y.Sadygov, A.A.Dovlatov, N.A.Safarov, R.S.Madatov F.I.Ahmadov, X.I.Abdullaev, R.M.Muxtarov. Investigation of recovery time of the micropixel avalanche photodiodes.  – Fizika, v.XVIII, No.1, 2012, p.10-11.
  48. Z.Y.Sadygov, F.I.Ahmadov, N.V.Anfimov, X.I.Abdullaev, A.A.Dovlatov, Z.V.Krumshtein, R.S.Madatov, A.G.Molokanov, A.A.Nozdrin, A.G.Olshevski, N.A.Safarov, V.N.Shetsov. Performance of silicon micropixel photodiodes after irradiation by 150MeV proton beam. – Fizika, v.XVIII, No.2, 2012, p.18-19.
  49. З. Садыгов, Х.Абдуллаев, Н.Анфимов, Ф.Ахмедов, Р.Мадатов, Р.Мухтаров, А.Ольшевский, А.Титов Микроканальный лавинный фотодиод с быстрым временем восстановления параметров. Письма в ЖТФ, 2013, том 39, вып. 11 c.7-12.
  50. Z.Y.Sadygov, X.I.Abdullaev, F.I.Ahmadov, E.A.Jafarova, A.A.Dovlatov, R.S.Madatov, R.M.Muxtarov, A.Z.Sadygov, N.A.Safarov.  On futures of potential distribution in avalanche photodiodes with deeply buried pixels. – Fizika, v.XIX, No.2, 2013, p.17-19.
  51. F. Ahmadov, O. Abdinov, G. Ahmadov, N. Anfimov, A. Garibov, E. Guliyev, Z. Krumshtein, R.Madatov, A. Olshevski, V. Shvetsov, A. Sadigov, Z. Sadygov, A. Titov, and V. Zhezher. Alpha Particle Detector Based on Micropixel Avalanche Photodiodes. – Physics of Particles and Nuclei Letters, 2013, Vol. 10, No. 7, pp. 778–779.
  52. Z. Sadygov, A. Ariffin, F. Akhmedov, N. Anfimov, T. Bokova, A. Dovlatov, I. Zheleznykh, F. Zerrouk, R. Mekhtieva, A. Ol’shevskii, A. Sadygov, A. Titov, V. Chalyshev, and M. Troitskaya. Technology of Manufacturing Micropixel Avalanche Photodiodes and a Compact Matrix on Their Basis. –Physics of Particles and Nuclei Letters, 2013, Vol. 10, No. 7, pp. 780–782.

Авторские свидетельства и патенты[править | править код]

  1. И.М.Железных,  З.Я.Садыгов. Фотоэлектронный умножитель. - Авторское свидетельство СССР №1251748 от 15.04.1986 г., приоритет от 10.08.1984 г.
  2. В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Умножитель электронов. - Авторское  свидетельство СССР1655258 от 08.02.1991 г., приоритет от 03.10.1986 г.
  3. А.Г.Гасанов, В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Лавинный фотоприемник. - Авторское  свидетельство  СССР №1702831 от 01.09.1991 г., приоритет от 11.10.1989 г.
  4. В.М.Головин, З.Я.Садыгов, М.Л.Тарасов, Н.Ю.Юсипов. Лавинный фотоприемник.- Патент России №1644708 от 07.06.1995 г., приоритет от 03.02.1989 г.
  5. З.Я.Садыгов, Патент России №2102820. Лавинный детектор, приоритет от 10.10.1996.
  6. З.Я.Садыгов, Патент России №2102821. Лавинный фотодиод, приоритет от 10.10.1996.
  7. З.Я.Садыгов, Патент России №2086027, Лавинный фотоприемник, приоритет от 30.05.1996.
  8. З.Я.Садыгов, и др. Патент России №2212733. Полупроводниковый микроканальный лавинный детектор с внутренним усилением сигнала, приоритет от 22.03.2002.
  9. З.Я.Садыгов, Патент России №2294035. Лавинный фотодиод, приоритет от 24.03.2005.
  10. З.Я.Садыгов, Патент России №2316848. Микроканальный лавинный фотодиод, приоритет 01.06.2006.

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]

researchgate Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia · Laboratory of High Energy PhysicsDoctor of Science in Physics

INSPIRE-HEP an open access digital library for the field of high energy physics.

Three advanced designs of avalanche micro-pixel photodiodes: their history of development, present status, maximum possibilities and limitations.

MICROCHANNEL AVALANCHE PHOTODIODE (VARIANTS) United States Patent Application 20090050934

Three advanced designs of micro-pixel avalanche photodiodes: Their present status, maximum possibilities and limitations

Scintillation detector RU2012121606A Russia Patent

Wide wavelength range high efficiency avalanche light detector with negative feedback

Silicon Photomultipliers: Status and Prospects

https://scholar.google.com/citations?user=4v_BJRQAAAAJ&hl=ru