Слой обеднения

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Обедненный слой в полупроводнике n-типа. 1 - металл, 2 - диэлектрик, 3 - обедненный основными носителями слой, 4 - полупроводник n-типа

Термин Слой обеднения (Обедненный слой) в физике полупроводников характеризует пониженную, по сравнению с равновесной, концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон, или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить обедненный слой при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.

См. также[править | править код]