МОП-структура: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
токоизмерительных шунтах---Каких "шунтах"? Как в сеть подключается амперметр? Я в шоке...)
(паразитный диод ---). Если он "паразитный", зачем он тогда нужен?)) |
(токоизмерительных шунтах---Каких "шунтах"? Как в сеть подключается амперметр? Я в шоке...)) |
||
|
Носителями заряда в полевых транзисторах с каналом n-типа выступают электроны, а в приборах p-типа – дырки<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее
[[Демпфирующий диод|Демпфирующие диоды]] (если таковые предусмотрены разработчиком транзистора), подключаются параллельно каналу, то есть к стоку и истоку. Для n-канальных полевых транзисторов анодом к истоку, а для p-канальных анодом к стоку.
=== Особые случаи ===
Существуют транзисторы с несколькими затворами, которые используются в цифровой технике для реализации различных [[Логические элементы|логических элементов]].
Некоторые мощные МОП-транзисторы, используемые в силовой технике в качестве [[Ключ (электротехника)|электрических ключей]], снабжаются дополнительным электродом от канала транзистора для контроля параметров, что, например, позволяет избежать падения [[Электрическое напряжение|напряжения]] на внешне подключаемом [[амперметр]]е.
== Условные графические обозначения ==
| |||