Отрицательное дифференциальное сопротивление: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
* Электронно-дырочный переход в вырожденных полупроводниках ([[туннельный диод]]) имеет вольтамперную характеристику [[N-тип]]а. Включение его в цепь приводит к возникновению в цепи неустойчивости и генерации колебаний. Амплитуда и частотный спектр колебаний определяются параметрами внешней цепи и нелинейностью вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Наличие такого участка, позволяет использовать туннельный диод в качестве быстродействующего переключателя.
 
* Полупроводники типа ''[[Арсенид галлия|GaAs]]'' или ''[[Фосфид индия|InP]]'' в сильных электрических полях позволяют реализовать характеристику [[N-тип]]а в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от напряжённости электрического поля ([[эффект ГанкаГанна]]). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца ''L'' и скоростью ''v'' дрейфа электронов в поле (ω'' ~ v/L'') и может достигать ~ 100 ГГц.
 
* В транзисторных и ламповых [[генератор тока|генераторах электромагнитных колебаний]] транзистор (лампа) вместе с цепью положительной [[обратная связь|обратной связи]] (и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора, стационарные колебания соответствуют состоянию, когда активные потери полностью компенсируются за счёт отрицательного внутреннего сопротивления.
Анонимный участник

Навигация