EPROM: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
60 байт добавлено ,  3 года назад
Спасение 1 источников и отметка 0 мёртвыми. #IABot (v1.5.1)
м ((GR) File renamed: File:D8749.pngFile:NEC D8749HD.png File renaming criterion #3: To correct obvious errors in file names, including misspelled [[c::en:Noun#Proper nouns and common nouns|proper no…)
Метка: GlobalReplace
(Спасение 1 источников и отметка 0 мёртвыми. #IABot (v1.5.1))
Стирание может быть также выполнено с помощью [[Рентгеновское излучение|рентгеновских лучей]]:
 
: «Стирание может быть сделано неэлектрическими методами, так как управляющий электрод электрически недоступен. Освещение ультрафиолетовым светом любой части неупакованного устройства вызывает фототок, который течёт из плавающего затвора на кремниевую подложку, тем самым переводя затвор в исходное незаряженное состояние. Этот метод стирания позволяет осуществлять полное тестирование и коррекцию сложных матриц памяти до корпусования. После корпусования информация всё ещё может быть стёрта рентгеновским излучением, превышающим 5*10<sup>4</sup> [[Рад (единица измерения)|рад]], дозы, которая легко достигается коммерческими генераторами рентгеновского излучения.<ref>May 10, 1971 issue of Electronics Magazine in an article written by Dov Frohman</ref> Иными словами, чтобы стереть EPROM, вы должны применить источник рентгеновского излучения, а затем поместить чип в духовку при температуре около 600 градусов по Цельсию (для отжига полупроводниковых изменений, вызванных рентгеновскими лучами).»<ref name="jmargolin_com-eprom">{{cite web|title=eprom|url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm|archiveurl=httphttps://www.webcitation.org/61BnNSfeX?url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm|archivedate=2011-08-25|deadurl=yes}} 090508 jmargolin.com</ref>
 
EPROM имеют ограниченное, но большое количество циклов стирания. Диоксид кремния около затвора накапливает постепенные разрушения при каждом цикле, что делает чип ненадёжным после нескольких тысяч циклов стирания. Программирование EPROM выполняется доволньно медленно по сравнению с другими типами памяти, потому что участки с более высокой плотностью оксида между слоями соединений и затвора получают меньше экспозиции. Ультрафиолетовое стирание становится менее практичным для очень больших размеров памяти. Даже пыль внутри корпуса может препятствовать некоторым ячейкам памяти выполнить стирание.<ref> Sah 1991 page 640 </ref>

Навигация