Список микроэлектронных производств

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В мире[править | править вики-текст]

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд $ Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Intel D1D[1] Hillsboro, Орегон, США 2003 300 22
Intel D1C[1] Hillsboro, Орегон, США 2001 300 32
Intel D1X[2] Hillsboro, Орегон, США 2013 300 22
Intel Fab 12[1] Chandler, Аризона, США 1996 300 65
Intel Fab 32[1][3] Chandler, Аризона, США 3 2007 300 45
Intel Fab 32[1][4] Chandler, Аризона, США 300 32 / 22
Intel Fab 42[5][6] Chandler, Аризона, США 5 план 2013, не запускалась[7] 300 14
Intel Fab 11x[1] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 32
Intel Fab 11x[1] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 45
Intel Fab 17[1] Hudson, Massachusetts, USA 1998 200
Intel Fab 10[1] Leixlip, Ирландия 1994 200
Intel Fab 14[1] Leixlip, Ирландия 1998 200
Intel Fab 24[1] Leixlip, Ирландия 2006 300 65
Intel Fab 24[1] Leixlip, Ирландия 2006 300 90
Intel Fab 28[1] Kiryat Gat, Израиль 2008 300 45 / 22
Intel Fab 68[1][8] Dalian, Китай 2.5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1[9] Guadalajara, Мексика 2002
Micron USA, Virginia 300
GlobalFoundries Fab 1[10] Дрезден, Германия 2.5 2005 300 45 и менее 80,000
GlobalFoundries Fab 7[10] Сингапур 300 130-40 50,000
GlobalFoundries Fab 8[10][11] Malta, New York, США 4.6 2012 300 28 60,000
GlobalFoundries Fab 2[12] Сингапур 200 600-350 50,000
GlobalFoundries Fab 3/5[13] Сингапур 200 350-180 54,000
GlobalFoundries Fab 3E[12] Сингапур 200 180 34,000
GlobalFoundries Fab 6[12] Сингапур 200 110 45,000
GlobalFoundries Fab 9[14] Abu Dhabi, ОАЭ 2015
TSMC Fab 2[15] Hsinchu, Тайвань 150
TSMC Fab 3 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 5 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 6 Tainan, Тайвань 200
TSMC Fab 8 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 10 Shanghai, Китай 200
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 28
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 22
TSMC Fab 12(P4) Hsinchu, Тайвань
TSMC Fab 14 Tainan, Тайвань 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Camas, Washington, США 200
TSMC Fab 15[16] Taichung, Тайвань 2011Q4 300 28
TSMC Fab 15[16] Taichung, Тайвань конец 2011 300 20
TSMC Fab 16 Taichung, Тайвань План 300 28
UMC Fab 6A Hsinchu, Тайвань 150
UMC Fab 8AB Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8C Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8D Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8E Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8F Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8S Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 12A Tainan, Тайвань 300
UMC Fab 12 Сингапур 300
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 1 Тайвань, Hsinchu 200
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 2 Тайвань, Hsinchu 200
IM Flash IM Flash[17] Сингапур 2011.04 300 25
IM Flash IM Flash Lehi, Utah, США 300 20
IM Flash IM Flash Manassas, Virginia, США
NXP Semiconductors DHAM[18] Германия, Гамбург
NXP Semiconductors Китай, Jilin
NXP Semiconductors Великобритания, Манчестер
NXP Semiconductors ICN8 Нидерланды, Nijmegen
NXP Semiconductors SSMC Сингапур
IBM Building 323[19][20] East Fishkill, N.Y., США 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Essex Junction, VT, США 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 Crolles, Франция 1993 200
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 65
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 45
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 32
STMicroelectronics Agrate Agrate Brianza, Italy 200
STMicroelectronics Catania Catania, Italy 1997 200
STMicroelectronics Rousset Rousset, Франция 2000 200
CNSE NanoFab 300 North[21] Albany, NY, США .175 2005 300 65
CNSE NanoFab 300 North[21] Albany, NY, США 300 45
CNSE NanoFab 300 North[21] Albany, NY, США 300 32
CNSE NanoFab 300 North[21] Albany, NY, США 300 22
CNSE NanoFab 300 South[21] Albany, NY, США .050 2004 300 22
CNSE NanoFab 200[22] Albany, NY, США .016 1997 200
CNSE NanoFab Central[21] Albany, NY, США .150 2009 300 22
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[23] Тайвань 300 90
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[23] Тайвань 300 70
Freescale Semiconductor ATMC[24] Остин, Техас, США 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab[25] Chandler, Arizona, США 1.1[26] 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab[27] Остин, Техас, США .8[28] 1991 200 250
Freescale Semiconductor Sendai Fab[29] Sendai, Япония 1987 150 500
Freescale Semiconductor Toulouse Fab[30] Toulouse, Франция 1969 150 650
SMIC S1 Mega Fab[31] Shanghai, Китай 200 90 94 тыс суммарно на S1[32]
SMIC S1 Mega Fab[31] Shanghai, Китай 200 350
SMIC S1 Mega Fab[31] Shanghai, Китай 200 90
SMIC S2[31] Shanghai, Китай 300 45/40
SMIC B1 Mega Fab[31] Beijing, Китай 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab[31] Beijing, Китай 2004 300 65/55 36 тысяч суммарно на B1[32]
SMIC Fab 7[31] Tianjin, Китай 2004 200 350 39 тысяч суммарно на F7[32]
SMIC Fab 7[31] Tianjin, Китай 200 130
SMIC Fab 8 Шанхай, Китай 200 45-28 нм 15 тысяч суммарно на F8[32]
Winbond Memory Product Foundry[33] Taichung, Тайвань 300 90
Winbond Memory Product Foundry[33] Taichung, Тайвань 300 65
MagnaChip F-5[34] Cheongju, Южная Корея 2005 200 130
ProMOS Fab 4[35][36] Taichung, Тайвань 1.6 300 70
Telefunken Semiconductors Heilbronn Heilbronn, Германия 150 10,000
Telefunken Semiconductors Roseville fab[37] Roseville, CA, США 200
Hynix M7[38] Icheon, Южная Корея 200
Hynix M8[38] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix M9[38] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix E1[38] Eugene, OR, США 200
Hynix HC1[38] Wuxi, Китай 200
Fujitsu Fab No. 1[39] Mie Prefecture, Япония 2005 300 65 15,000
Fujitsu Fab No. 1[39] Mie Prefecture, Япония 2005 300 90 15,000
Fujitsu Fab No. 2[39] Mie Prefecture, Япония 2007 300 65 25,000
Fujitsu Fab No. 2[39] Mie Prefecture, Япония 2007 300 90 25,000
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 65
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 90
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 130
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 180
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 250
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 1991 350
ON Semiconductor Gresham[40] Gresham, OR, США Future 200 65
ON Semiconductor Gresham[40] Gresham, OR, США 200 130
ON Semiconductor Pocatello[41] Pocatello, ID США 200 350
ON Semiconductor Pocatello[41] Pocatello, ID США 200 5000
National Semiconductor Greenock[42] Greenock, Scotland 150 20,833
National Semiconductor South Portland[43] South Portland, ME, США .932 1997 350
National Semiconductor South Portland[43] South Portland, ME, США 250
National Semiconductor South Portland[43] South Portland, ME, США 180
National Semiconductor West Jordan West Jordan, UT, США 1977 102
National Semiconductor Arlington Arlington, TX, США 1985 152
Samsung Line-16[44] Hwaseong, Южная Корея 2011 300 20 12,000
Samsung S2[45] USA, TX, Остин 2011 300 32 40,000
TowerJazz Semiconductor Fab 1[46] Израиль, Migdal Haemek 1989
TowerJazz Semiconductor Fab 2[46] Израиль, Migdal Haemek 2003 200 130-180
TowerJazz Semiconductor Fab 3[46] США, Калифорния, Newport Beach 1967 200[47] 130-500 17,000
TowerJazz Semiconductor Fab 4[46] Япония, Nishiwaki City


В России и СНГ[править | править вики-текст]

Микроэлектронное производство в России:[48]

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд $ Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Ангстрем-Т[48] Флаг России Зеленоград 45 млрд. рублей[49] план - 2011,[49] производство не запущено (2012)[50] 200 мм[49] 130-110 нм[49] (возм. до 90 нм[50]) 15-20 тыс[49]
Ангстрем Линия 200 (Ангстрем+) Флаг России Зеленоград план - 2012; не запущено[51][52][53] 200 мм 250-350 (4 металла) 4000[54]
Ангстрем Линия 150 Флаг России Зеленоград 150 мм 0,6 мкм (КНС/КНИ) 8000[54]
Ангстрем Линия 100 Флаг России Зеленоград остановлено в 2000-х[55] 100 мм 1,2 мкм КНС 4000[54]
НИИМЭ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград ~400 млн $[56] 2012 200 мм 90 3000[57]
НИИМЭ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград 2009[58] 200 мм 180
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[48] Флаг России Москва (АЗЛК) €200 млн[59] 2013 200-300 мм 90 (только MRAM слои) 2000 (к концу 2014 года)[60]
НИИИС[48] Флаг России Нижний Новгород 150 мм Маски, MEMS, СВЧ
Исток[48] Флаг России Фрязино 150 мм
Микран[48] Флаг России Томск не ранее 2013 150 мм

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):[61][62][63][64][65]

  • 200 мм пластины: 1 тыс пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм[63];
  • 150 мм пластины: 10 тыс пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29.5 тыс пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
  • 100 мм пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

Примечания[править | править вики-текст]

  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Intel Global Manufacturing Facts, 2011
  2. Intel Announces Multi-Billion-Dollar Investment in Next-Generation Manufacturing in U.S
  3. Intels $3 Billion Fab Now Open for Business
  4. PRESS KIT - Fab 32 (англ.)
  5. Intel to Invest More than $5 Billion to Build New Factory in Arizona
  6. Intel's new $5 billion plant in Arizona has Obama's blessing. http://www.usatoday.com.+Проверено 28 марта 0201. Архивировано из первоисточника 27 октября 2012.
  7. Intel shelves delayed Fab 42 facility // Bit-tech, 2014-01-15 "Intel's Chuck Mulloy confirmed that the facility will be 'left vacant for now' .. has not yet been outfitted with fabrication equipment - 'the actual tools, the expensive stuff, are not in there,' "
  8. Intel Opens $2.5 Billion Fab Plant in China
  9. Exports and local development ... - Patricia Ann Wilson: Motorola Plant Reference in a book
  10. 1 2 3 300mm Manufacturing
  11. World’s Most Advanced Semiconductor Foundry To Use GE’s Water Purification System, The Street (14 июня 2010). Проверено 1 июня 2011.
  12. 1 2 3 200mm
  13. 200mm
  14. Cooper, Robin K.. GlobalFoundries to build Abu Dhabi plant in 2012 (24 мая 2011).
  15. Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Проверено 21 апреля 2012.
  16. 1 2 TSMC Acquires PSC Land for New Fab Construction, Taiwan Economic News (13 января 2011). Проверено 13 января 2011.
  17. Intel, Micron open US$3 billion NAND flash facility in Singapore, DigiTimes (11 апреля 2011). Проверено 11 апреля 2011.
  18. About NXP
  19. IBM's Cutting-Edge $2.5 Billion Fab Reaps $500 Million in NY Incentives, The Site Selection (1 ноября 2000). Проверено 16 апреля 2011.
  20. IBM's $2.5B fab turns Hudson into silicon valley, EE Times (2002-8-05). Проверено 27 мая 2011.
  21. 1 2 3 4 5 6 300mm Wafer Fabrication // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  22. 200mm Wafer Fabrication
  23. 1 2 Foundry Services
  24. Freescale Austin Technology & Manufacturing Center
  25. Freescale Chandler Fab
  26. Motorola Restarts MOS 12 Facility Expansion, Electronic News (1999). Архивировано из первоисточника 8 июля 2012. Проверено 6 октября 2011.
  27. Freescale Oak Hill Fab
  28. R & D Collaboration on Trial: The Microelectronics and Computer Technology Corporation, Harvard Business School Press (1994). Проверено 6 октября 2011.
  29. Freescale Sendai Fab
  30. Freescale Toulouse Fab
  31. 1 2 3 4 5 6 7 8 SMIC - Fab Information
  32. 1 2 3 4 Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
  33. 1 2 Memory Product Foundry
  34. MagnaChip ups capex, tips 130-nm process
  35. ProMOS Goes for 70nm DRAM, SOFTPEDIA (13 августа 2007). Проверено 27 мая 2011.
  36. Record fab construction reached in second quarter, says report, EE Times (2 июля 2004). Проверено 31 мая 2011.
  37. Renesas sells U.S. fab to Telefunken, EE Times (30 марта 2011). Проверено 31 мая 2011.
  38. 1 2 3 4 5 Hynix to Accelerate Retirement of 200mm Fabrication Plants
  39. 1 2 3 4 Fujitsu to Construct New Fab for Logic Chips Employing 65nm Process Technology and 300mm Wafers
  40. 1 2 Gresham, USA
  41. 1 2 Pocatello, USA
  42. Greenock, Scotland
  43. 1 2 3 South Portland, Maine
  44. SAMSUNG BEGINS OPERATION OF WORLD’S LARGEST MEMORY FAB, Samsung Village (22 сентября 2011). Проверено 6 октября 2011.
  45. Samsung's Austin Logic Line Breaks Record Achievements, Samsung (5 декабря 2011). Проверено 18 мая 2012.
  46. 1 2 3 4 TowerJazz Manufacturing
  47. GSA, 2009, с. 85
  48. 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Market Update Russia – Nov 2012 (англ.). SEMI Europe (November 2012). Проверено 3 декабря 2013.
  49. 1 2 3 4 5 Годовой отчет Открытого Акционерного Общества "Ангстрем-Т" за 2008 год, 30.05.2008, "предприятие предназначено для производства интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм с использованием современных технологических процессов с минимальными проектными нормами 130–110 нм. ... Общая стоимость проекта составляет около 45 млрд. рублей."
  50. 1 2 IBM лицензировала «Ангстрему» 90-нм технологию производства чипов // digit, РИА Новости, 2012-10-31: "на приобретение у американской AMD лицензии и оборудования для завода по производству микросхем по технологии 130 нм. Однако в конце 2008 года «Ангстрем-Т» допустил дефолт по кредиту ВЭБа, и банк приостановил финансирование кредита. Производство так и не было запущено"
  51. Леонид Рейман поссорился с «Ростехом». Проект «Ангстрем плюс» будет реализован на другом предприятии: площади «Ангстрема» госкомпания сочла неподготовленными // Известия, 13 ноября 2013
  52. Проект «Ангстрем-плюс» по выпуску радиационно-стойких чипов переедет в МИЭТ // Зеленоград.ру, 09.12.2013
  53. «Ангстрем-плюс»: производство радиационно-стойкой элементной базы для ВПК // Зеленоград.ру
  54. 1 2 3 Производственная база / Кристальное производство // Ангстрем
  55. Проект «Ангстрем-плюс» по выпуску радиационно-стойких чипов переедет в МИЭТ // Zelenograd.ru, 09.12.2013 "...на площадях старого производства «Ангстрема» на пластинах 100 мм, которое еще в начале 2000-х годов выпускало до 30 тысяч пластин в год...Сегодня основным производством «Ангстрема» остаётся действующая линия для пластин 150 мм с топологическим уровнем чипов 0,8 микрон."
  56. David Manners,ST, Mikron to finish 90nm jv fab this year // Electronics Weekly, 1 March 2011
  57. ОАО «Роснано» и ОАО «СИТРОНИКС» запускают на «Микроне» самое современное в России и СНГ микроэлектронное производство // Пресс-релиз РосНАНО и Ситроникс, 17.02.2012
  58. JSC Mikron, Experience of 90nm technology transfer and facilities upgrade // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012  (англ.)
  59. Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти // РОСНАНО, 31 октября 2013
  60. Crocus Nanoelectronics launched the first production line at their MRAM fab, to start producing soon  (англ.), RusNano (via Mram-info.com) (Nov 10, 2013). Проверено 24 ноября 2013.
  61. Section 1 WORLDWIDE IC INDUSTRY ECONOMIC UPDATE AND FORECAST of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5, pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42,  (англ.) "Integral - has the only operational class 10 facility in the former USSR, ... unable to operate effectively below 1.5µm resolution. Until Angstrem, it was also the only former East European plant capable of processing 150mm wafers. "
  62. Ted Smith, David Allan Sonnenfeld, David N. Pellow. 8. Out of the Shadows and into the Gloom // Challenging the Chip: Labor Rights and Environmental Justice in the Global Electronics Industry. — Temple University Press. — Philadelphia, USA: 978-159213-331-4, 2006. — С. 101. — 357 с.
  63. 1 2 Russia’s Technology Industry Enters New Era  (англ.), SEMI (2008). Проверено 28 мая 2015. «5. ... state-funded semiconductor manufacturing project is planned at Integral, Belarus. The project is a CMOS process with technology level at 0.35 micron, wafer size of 200 mm, and initial production volume of 1,000 wafers per month with planned expansion up to 2,000 per month».
  64. Состояние и перспективы развития высоконадежной элементной базы производства ОАО «Интеграл» // НТЦ Белмикросхемы, слайд 2; 2010
  65. INTEGRAL Joint Stock Company. // INTEGRAL, 2012: "Production capacities. Wafer fabs", слайды 5, 6  (англ.)

Ссылки[править | править вики-текст]