Гидроксид тетраметиламмония

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Тетраметиламмония гидроксид»)
Перейти к: навигация, поиск
Гидроксид тетраметиламмония
TMAH.svg
Общие
Систематическое
наименование

Тетраметиловый гидроксид аммония

Сокращения

TMAH, TMAOH

Хим. формула

(CH3)4NOH

Классификация
Рег. номер CAS

75-59-2

PubChem
Рег. номер EINECS

200-882-9

SMILES
InChI
ChemSpider
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Гидрокси́д тетраметиламмо́ния (TMAH, TMAOH — от англ. tetramethylammonium hydroxide) это четвертичное аммонийное соединение (англ.) с молекулярной формулой (CH3)4NOH. Он используется как анизотропный травитель для кремния. Также используется как основной растворитель при производстве кислотного фоторезиста в процессе фотолитографии. Поскольку он является катализатором фазового перехода, он очень эффективен для удаления фоторезиста. Также используется как поверхностно-активное вещество при синтезе ферромагнитных жидкостей, чтобы препятствовать слипанию её частиц.

Токсичность[править | править вики-текст]

Раствор TMAH является сильным основанием. Ионы тетраметиламмония могут повреждать нервы и мышцы, приводя к затруднению дыхания и, возможно, смерти вскоре после контакта даже с небольшим количеством вещества.[источник не указан 2532 дня] Чистый TMAH практически не имеет запаха, загрязненный триметиламином (который применяется в производстве четвертичных аммониевых солей) имеет запах мертвой рыбы.

Анизотропный травитель[править | править вики-текст]

TMAH относится к семейству растворов четвертичных гидроксидов аммония и широко используется для анизотропного травления кремния. Типичная температура травления 70°-90 °C, типичная концентрация 5 %-25 % TMAH по массе в водном растворе. Скорость травления кремния увеличивается с ростом температуры и падает с ростом концентрации TMAH. Грубость травления кремниевой поверхности увеличивается с ростом концентрации TMAH, при концентрации 20 % получается гладкая поверхность травления.

Распространенные материалы для масок при длительном травлении в TMAH включают в себя диоксид кремния (химически осаждённый из газовой фазы при пониженном давлении ) и нитрид кремния. Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в TMAH; скорость травления в TMAH для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту.