Фосфид индия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Фосфид индия
Porous InP.jpg
Фосфид индия
Общие
Хим. формула InP
Физические свойства
Молярная масса 145.79 г/моль
Плотность 4.81 г/см³
Термические свойства
Т. плав. 1062 °C
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS 22398-80-7
PubChem
Рег. номер EINECS 244-959-5
SMILES
InChI
ChemSpider
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки[править | править код]