Фосфид индия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Фосфид индия
Porous InP.jpg
Фосфид индия
Общие
Хим. формула InP
Физические свойства
Молярная масса 145.79 г/моль
Плотность 4.81 г/см³
Термические свойства
Т. плав. 1062 °C
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS 22398-80-7
PubChem 31170
SMILES
InChI
ChemSpider 28914; 22199222
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки[править | править вики-текст]