Хохлов, Дмитрий Ремович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Хохлов; Хохлов, Дмитрий.
Дмитрий Ремович Хохлов
Дата рождения 26 декабря 1957(1957-12-26) (66 лет)
Место рождения Москва
Страна  СССР→ Россия
Род деятельности физик
Научная сфера физика полупроводников
Место работы физический факультет МГУ, ФИАН
Альма-матер физический факультет МГУ (1980)
Учёная степень доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание профессор (2001), член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии
Почётный работник высшего профессионального образования Российской Федерации

Государственная премия Российской Федерации — 1995||Премия имени И. И. Шувалова — 1995

Дми́трий Ре́мович Хохло́в (род. 26 декабря 1957) — советский и российский физик, профессор МГУ, лауреат Государственной премии РФ (1995), член-корреспондент РАН (2008).

Биография

[править | править код]

Родился в Москве в семье известного физика Р. В. Хохлова и Елены Михайловны Дубининой (дочери М. М. Дубинина)[1], младший брат А. Р. Хохлова. В 1974 году окончил 2-ю физико-математическую школу в Москве[2]. Выпускник физического факультета МГУ 1980 года. Поступил на работу в лабораторию полупроводников физического факультета МГУ, позднее стал заведующим этой лабораторией. В 1992 году защитил диссертацию на соискание степени доктора физико-математических наук по теме «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». В 1995 году получил Государственную премию Российской Федерации «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов», в том же году стал лауреатом премии им. Шувалова. С 1998 года — профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости того же факультета. С 2006 избран заведующим кафедрой общей физики и магнито-упорядоченных сред МГУ. В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН.

  • член научного совета РАН по физике полупроводников
  • заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию
  • член учёного совета физического факультета МГУ

Общественная позиция

[править | править код]

В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением вторжения России на Украину и призывом вывести российские войска с украинской территории[3].

Научные интересы

[править | править код]

Научные интересы: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников:

  • гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени;
  • локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях;
  • СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени;
  • СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
  • селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона.

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ Академик Рем Викторович Хохлов — ректор Московского университета. К 250-летию МГУ. Дата обращения: 19 апреля 2017. Архивировано 19 апреля 2017 года.
  2. ↑ Фотографии разных выпусков, 3 ряд, 3 слева. Дата обращения: 19 апреля 2017. Архивировано 20 апреля 2017 года.
  3. ↑ Открытое письмо российских ученых и научных журналистов против войны с Украиной. Архивировано 25 апреля 2022 года.

Ссылки

[править | править код]
Предшественник:
Бункин, Фёдор Васильевич 		главный редактор журнала
«Известия РАН. Серия физическая»
2016— 		Преемник:
—
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Хохлов,_Дмитрий_Ремович&oldid=136424358