Хохлов, Дмитрий Ремович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Дмитрий Ремович Хохлов
Дата рождения 26 декабря 1957(1957-12-26) (60 лет)
Место рождения Москва
Страна Flag of the Soviet Union.svg СССРFlag of Russia.svg Россия
Научная сфера физика полупроводников
Альма-матер физический факультет МГУ (1980)
Учёная степень доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание профессор (2001), член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии Государственная премия Российской Федерации — 1995 Премия имени И. И. Шувалова — 1995

Дми́трий Ре́мович Хохло́в (род. 26 декабря 1957) — российский физик, профессор МГУ, лауреат Государственной премии РФ (1995), член-корреспондент РАН (2008).

Биография[править | править код]

Родился в Москве в семье известного физика Р. В. Хохлова и Елены Михайловны Дубининой (дочери М. М. Дубинина)[1], младший брат А. Р. Хохлова. В 1974 году окончил 2-ю физико-математическую школу в Москве[2]. Выпускник физического факультета МГУ 1980 года. Поступил на работу в лабораторию полупроводников физического факультета МГУ, позднее стал заведующим этой лабораторией. В 1992 году защитил диссертацию на соискание степени доктора физико-математических наук по теме «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». В 1995 году получил Государственную премию Российской Федерации «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов», в том же году стал лауреатом премии им. Шувалова. С 1998 года — профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости того же факультета. С 2006 избран заведующим кафедрой общей физики и магнито-упорядоченных сред МГУ. В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН.

  • член научного совета РАН по физике полупроводников
  • заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию
  • член учёного совета физического факультета МГУ

Научные интересы[править | править код]

Научные интересы: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников:

  • гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени;
  • локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях;
  • СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени;
  • СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
  • селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона.

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]