Электронная промышленность России

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Электронная промышленность России — отрасль промышленности России, развивающая электронную технику.

На 2018 год СМИ со ссылкой на интервью министра промышленности и торговли Дениса Мантурова сообщали, что в России производится микроэлектроника «по типоразмеру до 65 нанометров»[1][2].

История[править | править код]

Постсоветское время

В 1990-х годах электронная промышленность находилась в упадке из-за острого финансового и политического кризиса, а также отсутствия заказов на разработку и создание новых изделий. Военные заказы к 2007 г. уменьшились в 6—8 раз.

«Стратегия развития электронной промышленности РФ до 2025 г.» (утверждена в августе 2007 года министром промышленности и энергетики РФ Виктором Христенко) — констатируется утрата на 40-50 % технологий производства электронной компонентной базы (ЭКБ), разработанной в СССР 1970—1980-х; наблюдается прогрессирующее технологическое отставание РФ в области твердотельной СВЧ-электроники (снижается конкурентоспособность производимых в РФ вооружений — теперь их приходится на 70 % оснащать импортной электроникой; аналогичные проблемы возникают и в космической отрасли). К 2007 г. доля РФ на мировом рынке ЭКБ составляла всего 0,23 %; на внутреннем рынке ЭКБ промышленность РФ обеспечивает только 37,5 % спроса.

В 2008 году была запущена Федеральная целевая программа «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008—2015 годы[3].

В 2013 году в Зеленограде был открыт Центр проектирования, каталогизации и производства фотошаблонов (ЦФШ) для изготовления интегральных схем (ИС), создававшийся в два этапа с 2006 года; центр позволяет проектировать и изготавливать фотошаблоны различных типов и является единственным предприятием по производству фотошаблонов в РФ[4][5].

После 2014 года, когда США, ЕС и ряд других западных стран стали вводить против России политически-мотивированные санкциии микроэлектронные компоненты в них были запрещены весьма широко, что создало для России целый ряд неприятных и трудноустранимых технологических проблем (в частности, пострадали космическая отрасль, производство вооружений, атомная промышленность, авиастроение и судостроение, нефтегазовая отрасль).

Создание ЭВМ[править | править код]

Первый универсальный программируемый компьютер в континентальной Европе был создан командой учёных под руководством С. А. Лебедева из Киевского института электротехники СССР. ЭВМ МЭСМ (Малая электронная счётная машина) заработала в 1950 году. Она содержала около 6000 электровакуумных ламп и потребляла 15 кВт. Машина могла выполнять около 3000 операций в секунду.

Первой советской серийной ЭВМ стала «Стрела», производившаяся с 1953 на Московском заводе счётно-аналитических машин. «Стрела» относится к классу больших универсальных ЭВМ с трёхадресной системой команд. ЭВМ имела быстродействие 2-3 тыс. операций в секунду. В качестве внешней памяти использовались два накопителя на магнитной ленте емкостью 200 тыс. слов, объём оперативной памяти — 2048 ячеек по 43 разряда. Машина состояла из 6200 ламп, 60 000 полупроводниковых диодов и потребляла 150 кВт энергии.

«Сетунь» была первой ЭВМ на основе троичной логики, разработана в 1958 году в Советском Союзе.

Первыми советскими серийными полупроводниковыми ЭВМ стали «Весна» и «Снег», выпускавшиеся с 1964 по 1972 годы. Пиковая производительность ЭВМ «Снег» составила 300 000 операций в секунду. Машины изготавливались на основе транзисторов с тактовой частотой 5 МГц. Всего было выпущено 39 ЭВМ.

Наилучшей советской ЭВМ II поколения считается БЭСМ-6, созданная в 1966 году. В архитектуре БЭСМ-6 впервые был широко использован принцип совмещения выполнения команд (до 14 одноадресных машинных команд могли находиться на разных стадиях выполнения). Механизмы прерывания, защиты памяти и другие новаторские решения позволили использовать БЭСМ-6 в мультипрограммном режиме и режиме разделения времени. ЭВМ имела 128 КБ оперативной памяти на ферритовых сердечниках и внешнюю память на магнитных барабанах и ленте. БЭСМ-6 работала с тактовой частотой 10 МГц и рекордной для того времени производительностью — около 1 млн операций в секунду. Всего было выпущено 355 ЭВМ.

В 1971 году появились первые машины серии ЕС ЭВМ.

Для боевых систем ПРО и ПВО[править | править код]

Успешные испытания системы А дали значительный импульс развитию вычислительной техники. Начинается разработка ЭВМ для противоракетной обороны Москвы, Бурцев становится заместителем директора ИТМиВТ Лебедева и основным исполнителем по военным заказам. В 1961—1967 гг. для системы ПРО А-35 создается серия высокопроизводительных двухпроцессорных ЭВМ 5Э92 (5Э92б — полупроводниковый вариант, 5Э51 — серийная модификация) и вычислительная сеть на их базе, состоящая из 12 машин с полным аппаратным контролем и автоматическим резервированием. Кроме системы ПРО, 5Э51 используется в Центре контроля космического пространства (ЦККП) и многих информационных и научных центрах военного профиля [10]. В 1972 году за эту работу группа учёных во главе с В. С. Бурцевым удоставивается Государственной премии СССР [6].

С 1968 года Всеволод Бурцев руководит разработкой вычислительных средств для будущего ЗРК С-300. К 1972—1974 гг. создана трехпроцессорная модульная ЭВМ 5Э26 и, позднее, её модификации 5Э261, 5Э262, 5Э265 и 5Э266, которые сменил пятипроцессорный ЦВК 40У6 (1988 год) [11].

В 1970 году, в рамках создания второго поколения ПРО конструктора Г. В. Кисунько, в ИТМиВТ началась разработка перспективного вычислительного комплекса «Эльбрус» с производительностью 100 млн оп./с, главным конструктором проекта становится В. С. Бурцев (в 1973 году он сменяет ушедшего по состоянию здоровья С. А. Лебедева на посту директора ИТМиВТ). Высокую производительность планируется получить, используя большой опыт института в области многопроцессорных параллельных архитектур (ранее это использовалось в основном для достижения высокого уровня надёжности при относительно невысоком качестве комплектующих отечественного минрадиопрома). Первый «Эльбрус-1» (1978 год) из-за устаревшей элементарной базы имел невысокую производительность (15 млн оп./с), более поздняя модификация «Эльбрус-2» (1985 год) в 10-процессорном исполнении достигла 125 млн оп./с[10] и стала первым промышленным компьютером с суперскалярной архитектурой и самым мощным суперкомпьютером СССР, «Эльбрус-2» эксплуатировались в ядерных НИИ ЦУПе и в системе ПРО А-135, за его разработку В. С. Бурцев и ряд других специалистов были удостоены Государственной премии [12].

Работы в области многопроцессорных ЭВМ[править | править код]

В рамках дальнейшей модернизации суперЭВМ под руководством Бурцева разрабатывается векторный процессор с быстродействием 200—300 млн оп./с, введение которого в МВК «Эльбрус» могло поднять производительность до 1 млрд оп./с, однако в 1985 году, после 35 лет работы в ИТМиВТ, обстоятельства заставляют его перейти на должность заместителя директора (с 1992 г. — директор) Вычислительного центра коллективного пользования (ВЦКП) АН СССР. На новой должности Бурцев продолжает развивать идеи высокоскоростных параллельных вычислений в рамках проекта «Оптической сверхвысокопроизводительной машины» (ОСВМ) Академии наук 13, разрабатывая структуру суперЭВМ на «не Фон-Неймановском принципе» с эффективным распараллеливанием вычислительного процесса на аппаратном уровне 10.

После распада СССР Российская Академия наук сворачивает фронт работ над суперЭВМ и ВЦКП закрывается. В 1995 году Бурцев самостоятельно организует Институт высокопроизводительных вычислительных систем (ИВВС), в котором продолжает работу, однако из-за отсутствия интереса к данной теме со стороны Академии наук и отсутствия финансирования практического продолжения направление не получает.

Предприятия[править | править код]

Холдинг «Росэлектроника» консолидирует большинство крупных российских предприятий и научно-исследовательских институтов в области электронной промышленности. Холдинг основан в 1997 году, на момент создания в него входило 33 предприятия электронной промышленности[6]. В настоящее время в состав холдинга входит 123 предприятия, которые специализируются на разработке и производстве изделий электронной техники, электронных материалов и оборудования для их изготовления, полупроводниковых приборов и технических средств связи[7].
В частности, в состав холдинга входят такие предприятия, как «Ангстрем», «Элма», «Светлана», завод «Метеор», АО «Московский электроламповый завод», НИИ газоразрядных приборов «Плазма», НПП «Исток», НПП «Пульсар», АО «НИИЭТ» и др.[8]

Микроэлектроника[править | править код]

Динамика производства интегральных схем в России в 1997—2009 годах, в млрд штук[9]

В 2008 году темпы роста микроэлектроники в России были около 25 %, а в 2009 году — около 15 %, что превышало темпы роста других отраслей российской промышленности[10]. В феврале 2010 года замминистра промышленности и торговли России Юрий Борисов заявил, что реализация стратегии правительства России в области микроэлектроники сократила технологическое отставание российских производителей от западных до 5 лет (до 2007 года это отставание оценивалось в 20-25 лет)[10].

Российская группа предприятий «Ангстрем» и компания «Микрон» являются одними из крупнейших производителей интегральных схем в Восточной Европе[11]. Около 20 % продукции «Микрона» экспортируется[12].

В октябре 2009 года была учреждена компания «СИТРОНИКС-Нано» для работы над проектом по созданию в России производства интегральных схем нормы 90 нм (такие чипы можно использовать для выпуска SIM-карт, цифровых телеприставок, приемников ГЛОНАСС и др.)[13]. «Ситроникс-нано» достраивает фабрику по выпуску таких микрочипов, начало работы намечено на 2011 г. Стоимость проекта составит 16,5 млрд рублей[14].

К концу 2010 года в России было начато производство чипов по технологии 90 нм, используемых, в частности, в мобильных телефонах российского производства[15].

В начале 2010-х существовали планы создания единого инновационного Центра для исследований и разработок, аналога «Кремниевой долины» в США[16], характерной чертой которого станет большая плотность высокотехнологичных компаний[17][18].

В 2019 году рынок контрактного производства электроники в России вырос более чем на 25 % и достиг отметки 20 млрд руб.; в 2020 г. из-за пандемии коронавируса он, по оценке участников, может сократиться более чем на 30 %[19].

Новые ограничения, которые были введены в конце июня 2020 года, стали практически полным возвратом к правилам КоКом, пусть и без формального объявления конкретных ограничивающих процедур. 29 июня вступили в силу два новых правила Бюро промышленности и безопасности (англ. Bureau of Industry and Security, BIS) министерства торговли США, которые ещё более ограничивают потенциальный экспорт чувствительных технологий в Россию, Китай, Венесуэлу, Иран и целый ряд других стран (этими новыми правилами США отменили упрощенный режим таможенного оформления микроэлектроники для гражданского пользования, который был введен в действие после ликвидации КоКом и перехода к Вассенаарским соглашениям 1996 года).

В 2020 году правительство России резко, более чем на порядок, увеличило господдержку радиоэлектронной промышленности, в 2021 г. финансирование вырастет до 160 млрд рублей[20]. Заявлено, что для производства современной электронной базы в России нужны огромные инвестиции и много времени и в 2021—2022 гг. на развитие микроэлектроники запланировано потратить более 100 миллиардов рублей[21]

Производство микропроцессоров[править | править код]

В советское время одним из самых востребованных из-за его непосредственной простоты и понятности стал задействованный в учебных целях МПК КР580 — набор микросхем, функциональный аналог набора микросхем Intel 82xx. Он использовался в отечественных компьютерах, таких, как Радио 86РК, ЮТ-88, Микроша и т. д.

Разработкой микропроцессоров в России занимаются ЗАО «МЦСТ», НИИСИ РАН, АО «НИИЭТ» и ЗАО «ПКК Миландр». Также разработку специализированных микропроцессоров, ориентированных на создание нейронных систем и цифровую обработку сигналов, ведут НТЦ «Модуль»[22] и ГУП НПЦ «Элвис» (Зеленоград)[23]. Ряд серий микропроцессоров также производит ОАО «Ангстрем».

НИИСИ РАН разрабатывает процессоры серии «Комдив» на основе архитектуры MIPS (техпроцесс — 0,5 мкм, 0,3 мкм; КНИ): КОМДИВ-32, КОМДИВ-64, КОМДИВ64-СМП, арифметический сопроцессор КОМДИВ128.

АО «ПКК Миландр» (Зеленоград) разрабатывает 16-разрядный процессор цифровой обработки сигналов и 2-ядерный процессор: 1967ВЦ1Т — 16-разрядный процессор цифровой обработки сигналов, частота 50 МГц, КМОП 0,35 мкм (2011)[24], 1901ВЦ1Т — 2-ядерный процессор, DSP (100 МГц) и RISC (100 МГц), КМОП 0,18 мкм (2011).

НТЦ «Модуль» разработал и предлагает микропроцессоры семейства NeuroMatrix:[25]

  • 1998 год, 1879ВМ1 (NM6403) — высокопроизводительный специализированный микропроцессор цифровой обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD архитектурой. Технология изготовления — КМОП 0,5 мкм, частота 40 МГц.
  • 2007 год, 1879ВМ2 (NM6404) — модификация 1879ВМ1 с увеличенной до 80 МГц тактовой частотой и 2-Мб ОЗУ, размещённым на кристалле процессора. Технология изготовления — 0,25 мкм КМОП.
  • 2009 год, 1879ВМ4 (NM6405) — высокопроизводительный процессор цифровой обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD архитектурой на базе запатентованного 64-разрядного процессорного ядра NeuroMatrix. Технология изготовления — 0,25 мкм КМОП, тактовая частота — 150 МГц.
  • 2011 год, 1879ВМ5Я (NM6406) — высокопроизводительный процессор цифровой обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD архитектурой на базе запатентованного 64-разрядного процессорного ядра NeuroMatrix. Технология изготовления — 90-нм КМОП, тактовая частота — 300 МГц.
  • СБИС 1879ВМ3 — программируемый микроконтроллер с ЦАП и АЦП. Частота выборок — до 600 МГц (АЦП) и до 300 МГц (ЦАП). Максимальная тактовая частота — 150 МГц[22].

АО НПЦ «ЭЛВИС» (Зеленоград) разрабатывает и производит микропроцессоры серии «Мультикор»[23], отличительной особенностью которых является несимметричная многоядерность. При этом физически в одной микросхеме содержатся одно CPU RISC-ядро с архитектурой MIPS32, выполняющее функции центрального процессора системы, и одно или более ядер специализированного процессора-акселератора для цифровой обработки сигналов с плавающей/фиксированной точкой ELcore-xx (ELcore = Elvees’s core), основанного на «гарвардской» архитектуре. CPU-ядро является ведущим в конфигурации микросхемы и выполняет основную программу. Для CPU-ядра обеспечен доступ к ресурсам DSP-ядра, являющегося ведомым по отношению к CPU-ядру. CPU микросхемы поддерживает ядро ОС Linux 2.6.19 или ОС жесткого реального времени QNX 6.3 (Neutrino).

  • 2004: 1892ВМ3Т (MC-12) — однокристальная микропроцессорная система с двумя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, сигнальный сопроцессор — SISD ядро ELcore-14. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 80 МГц. Пиковая производительность 240 MFLOPs (32 бита).
  • 2004: 1892ВМ2Я (MC-24) — однокристальная микропроцессорная система с двумя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, сигнальный сопроцессор — SIMD ядро ELcore-24. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 80 МГц. Пиковая производительность 480 MFLOPs (32 бита).
  • 2006: 1892ВМ5Я (MC-0226) — однокристальная микропроцессорная система с тремя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, 2 сигнальных сопроцессора — MIMD ядро ELcore-26. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 100 МГц. Пиковая производительность 1200 MFLOPs (32 бита).
  • 2008: NVCom-01 («Навиком») — однокристальная микропроцессорная система с тремя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, 2 сигнальных сопроцессора — MIMD DSP-кластер DELCore-30 (Dual ELVEES Core). Технология изготовления — КМОП 130 нм, частота 300 МГц. Пиковая производительность — 3600 MFLOPs (32 бита). Разработан в качестве телекоммуникационного микропроцессора, содержит встроенную функцию 48-канальной ГЛОНАСС/GPS-навигации.
  • 2012: 1892ВМ7Я (ранее был известен как MC-0428) — однокристальная микропроцессорная гетерогенная система с четырьмя ядрами. Новый центральный процессор — MIPS RISCore32F64 с интегрированным 32-/64-разрядным математическим акселератором и 2*16 Кбайт (16 К — команды и 16 К — данные) кэш памятью первого уровня, 3 сигнальных сопроцессора — модернизированное MIMD-ядро ELcore. Технология изготовления — КМОП 130 нм, частота 300 МГц. Пиковая производительность 9600 MFLOPs (32 бита). Корпус BGA-756.
  • 2012: NVCom-02T («Навиком-02Т») — однокристальная микропроцессорная система с тремя гетерогенными ядрами. Ведущий процессор — RISCore32F64, сигнальные сопроцессоры — MIMD DSP-кластер DELCore-30М. Сигнальные сопроцессоры организованы в двухпроцессорный кластер, поддерживающий вычисления с плавающей и фиксированной точкой, и интегрированный с 48-канальным коррелятором для ГЛОНАСС/GPS-навигации. Сигнальные ядра имеют ряд новых возможностей, в том числе аппаратные команды для обработки графики (IEEE-754), аппаратную реализацию кодирования/декодирования по Хаффману; расширены возможности использования внешних прерываний; организован доступ ядер DSP к внешнему адресному пространству, возможно отключение частоты только от CPU. Технология изготовления — КМОП 130 нм, частота 250 МГц. Пиковая производительность — 4,0 GFLOPs (32 бита). Имеет пониженную потребляемую мощность.

В качестве перспективной модели представляется микропроцессор под обозначением «Мультиком-02» (MCom-02), позиционируемый как мультимедийный сетевой многоядерный процессор.

ОАО «Multiclet» разрабатывает и производит на сторонних мощностях микропроцессоры по запатентованной ею мультиклеточной технологии.

  • 2012: MCp0411100101 — универсальный микропроцессор, ориентированный на задачи управления и цифровой обработки сигналов. Поддерживает аппаратные операции с плавающей запятой. Технология изготовления — КМОП 180 нм, частота 100 МГц. Пиковая производительность 2,4 GFLOPs (32 бита). Приёмка — ОТК 1,3 и 5.

ОАО «Ангстрем» производит (не разрабатывает) следующие серии микропроцессоров:

  • 1839 — 32-разрядный VAX-11/750-совместимый микропроцессорный комплект из 6 микросхем. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота 10 МГц.
  • 1836ВМ3 — 16-разрядный LSI-11/23-совместимый микропроцессор. Программно совместим с PDP-11 фирмы DEC. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота — 16 МГц.
  • 1806ВМ2 — 16-разрядный LSI/2-совместимый микропроцессор. Программно совместим с LCI-11 фирмы DEC. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота — 5 МГц.
  • Л1876ВМ1 32-разрядный RISC-микропроцессор. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота — 25 МГц.

Из собственных разработок «Ангстрема» можно отметить однокристальную 8-разрядную RISC микроЭВМ «Тесей».

МЦСТ

Компанией МЦСТ разработано и внедрено в производство семейство универсальных SPARC-совместимых RISC-микропроцессоров с проектными нормами 90, 130 и 350 нм и частотами от 150 до 1000 МГц (подробнее см. статью о серии — МЦСТ-R и о вычислительных комплексах на их основе «Эльбрус-90микро»). Также разработан VLIW-процессор «Эльбрус» с оригинальной архитектурой ELBRUS, используется в комплексах «Эльбрус-3М1»). Прошёл государственные испытания и рекомендован к производству новый процессор «Эльбрус-2С+», отличающийся от процессора «Эльбрус» тем, что содержит два ядра на архитектуре VLIW и четыре ядра DSP (Elcore-09). Основные потребители российских микропроцессоров — предприятия ВПК.

История развития процессоров МЦСТ:

  • 1998: SPARC-совместимый микропроцессор с технологическими нормами 500 нм и частотой 80 МГц.
  • 2001: МЦСТ-R150 — SPARC-совместимый микропроцессор с технологическими нормами 350 нм и тактовой частотой 150 МГц.
  • 2003: МЦСТ-R500 — SPARC-совместимый микропроцессор с технологическими нормами 130 нм и тактовой частотой 500 МГц.
  • 2004: «Эльбрус 2000» (E2K) — микропроцессор с технологическими нормами 130 нм и тактовой частотой 300 МГц. E2K имеет разработанную российскими учёными вариант архитектуры явного параллелизма, аналог VLIW/EPIC.
  • январь 2005: успешно завершены государственные испытания МЦСТ-R500. Этот микропроцессор явился базовым для пяти новых модификаций вычислительного комплекса «Эльбрус-90микро», успешно прошедших типовые испытания в конце 2004 года; на базе МЦСТ-R500 в рамках проекта «Эльбрус-90микро» создан микропроцессорный модуль МВ/C, фактически являющийся одноплатной ЭВМ; на базе ядра МЦСТ-R500 начата разработка двухпроцессорной системы на кристалле (СНК) МЦСТ-R500S. На кристалле будут также размещены все контроллеры, обеспечивающие её функционирование как самостоятельной ЭВМ. На базе СНК планируется создание семейств новых малогабаритных носимых вычислительных устройств — ноутбуков, наладонников, GPS-привязчиков и т. п.
  • май 2005 года — получены первые образцы микропроцессора Эльбрус 2000.

Производство накопителей[править | править код]

диски HDD:

диски SSD: GS Nanotech (Гусев)[26]

Производство светодиодов[править | править код]

На протяжении некоторого времени крупнейшим сборщиком светодиодов в России и Восточной Европе являлась компания «Оптоган»[27], созданная при поддержке ГК «Роснано». Производственные мощности компании расположены в Санкт-Петербурге. «Оптоган» занимается как производством светодиодов из иностранных компонентов, так и чипов и матриц, а также участвует во внедрении светодиодов для общего освещения; но производственные мощности были заморожены в конце 2012 года[28].

Крупным предприятием по производству светодиодов и устройств на их основе также можно назвать завод Samsung Electronics в Калужской области.[источник не указан 856 дней]

В мае 2011 года госхолдинг «Росэлектроника» объявил о планах создать в особой экономической зоне в Томской области завод полного цикла (кластер) по производству светодиодных светильников на базе научно-исследовательского института полупроводниковых приборов (НИИПП)[29]. В 2014 году шло проектирование корпуса светодиодного кластера, в этом же году было намерение закупить оборудование, в 2015 — строить корпус[30] (ранее ввод завода в строй ожидался в 2013 году[31]), однако в связи с кризисом 2015 года планы не реализовались.

Летом 2021 года холдинг GS Group запустил в городе Гусеве Калининградской области крупносерийное производство светодиодов. Мощность завода составляет 145 млн светодиодов в год, с возможностью расширения к 2022 году до 400 млн штук ежегодно[32].

См. также[править | править код]

Ссылки[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. Россия на фоне санкций успешно замещает электронику и комплектующие двойного назначения из США продукцией из Юго-Восточной Азии // Взгляд, 27 августа 2018
  2. Мантуров рассказал о работе по импортозамещению // РИА Новости, 27.08.2018
  3. Постановление Правительства РФ от 26 ноября 2007 г. N 809 "О федеральной целевой программе «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008—2015 годы
  4. «Росэлектроника» поддержит новые микроэлектронные производства и технологические центры в Зеленограде // zelenograd.ru
  5. Запущен новый зеленоградский «Центр изготовления фотошаблонов» // PCWeek.ru, 08.10.2013
  6. У российской электронной промышленности появился свой холдинг // Русский телеграф, номер от 25.12.1997, выпуск № 69
  7. http://www.cnews.ru/news/top/index.shtml?2013/07/19/535974 Архивная копия от 24 декабря 2014 на Wayback Machine CNews — «Росэлектроника» будет реформироваться под новым руководством, 19.07.2013
  8. Список дочерних предприятий холдинга «Росэлектроника» Архивная копия от 28 ноября 2014 на Wayback Machine на официальном сайте компании
  9. Производство промышленной продукции в натуральном выражении (год)
  10. 1 2 Реализация стратегии правительства РФ в области микроэлектроники к 2010 году сократила до 5 лет отставание отечественных производителей от западных Архивная копия от 26 сентября 2013 на Wayback Machine // АРМС-ТАСС, 26 февраля 2010
  11. АМD поделилась нанометрами // Итоги, 1 декабря 2007
  12. РБК daily: Россия получит доступ к технологиям, на которые приходится 80 % мирового рынка микроэлектроники, 20.12.2010
  13. «Банк Москвы» открывает для «СИТРОНИКС-Нано» аккредитив на 27 млн евро для финансирования передачи лицензий и технологии // Финам, 05.03.2011
  14. Как помочь микрочипу// accord-audit.ru, 28 августа 2010 Архивная копия от 20 мая 2013 на Wayback Machine
  15. Путину показали российский аналог iPhone 4 // Lenta.ru, 2010-12-28
  16. Расположение «Кремниевой долины» в РФ определят через 10 дней Архивная копия от 13 апреля 2010 на Wayback Machine / РБК, 2010-03-10
  17. Российским аналогом Кремниевой долины займется Чубайс (недоступная ссылка). Lenta.ru (10 марта 2010). Дата обращения: 14 августа 2010. Архивировано 21 июля 2010 года.
  18. Для города будущего ищут место / Дни.ру, 2010-03-10
  19. Российское контрактное производство электроники показало взрывной рост // CNews, 14.04.2020
  20. Россия увеличит поддержку радиоэлектронной промышленности в 11 раз // Взгляд, 2 июля 2020
  21. Мишустин рассчитывает на возвращение российской микроэлектроники на мировой рынок // Вести.ру, 20 ноября 2020
  22. 1 2 НТЦ «Модуль»
  23. 1 2 Информация о микропроцессорах производства ГУП НТЦ Элвис
  24. 1967ВЦ1Т // Миландр
  25. Информация о микропроцессорах производства НТЦ Модуль
  26. SSD по-русски: знакомимся с GS Nanotech — производителем твердотельных накопителей из города Гусева // 3DNews, 9 апреля 2020
  27. «Российский производитель светодиодов „Оптоган“ приобрел завод „Элкотек“ в Петербурге у люксембургской Elcoteq SE» (недоступная ссылка)
  28. Красивая история нанотехнологий разбилась о рынок // Коммерсантъ, 16.12.2015
  29. Томский НИИПП начал серийное производство светодиодов // RusСable.ru, 26 августа 2011
  30. Светодиодный кластер будет создан в Томске // RusСable.ru, 17 февраля 2014
  31. Росэлектроника к 2013 году запустит в Томске завод светодиодов
  32. GS Group запустил крупносерийное производство светодиодов под Калининградом // Коммерсантъ, 18.06.2021