Энергонезависимая память

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[en]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая

Энергонезависимая память (англ. Non Volatile Random Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью[1].

В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти, или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения. Однако подпадающие под это определение носители информации, ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия. Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко, по отношению к полупроводниковой БИС запоминающего устройства, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.

Микросхема КМОП, подпитываемая батарейкой

Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая память для хранения настроек BIOS питаются от компактной батарейки, закреплённой на плате. Современные RAID-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM-памяти, используемой в качестве буфера[2][3].

В начале 2010-х годов наиболее широко распространенной энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND (Charge Trap Flash).

Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-памяти после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и ряд других[4][5][6]

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. Frank Vahid and Tony Givargis. Chapter 5: Memories // Embedded System Design: A Unified Hardware/software Introduction. — Wiley India Pvt. Limited, 2006. — 348 p. — ISBN 9788126508372.
  2. Sung Hoon Baek. Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers // IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE). — 2013. — С. 298 - 299. — ISBN 978-1-4673-1361-2. — ISSN 2158-3994. — DOI:10.1109/ICCE.2013.6486902.: "High-end RAID systems utilize uninterruptible power supply (UPS) or battery-backed RAM to achieve both reliability and performance...high-end RAID system that uses UPS or battery- backed RAM to protect buffered data."
  3. Shimin Chen. Exploiting Flash for Energy Efficient Disk Arrays (англ.). — «NVRAM (i.e., battery-backed RAM) as non-volatile write buffers.». Проверено 9 января 2015.
  4. Kim, Kinam. Future Memory Technology including Emerging New Memories / Kinam Kim, Koh. — Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics, 16 May 2004. — P. 377–384.
  5. Tom Coughlin; Ed Grochowski. Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (September 15, 2014). Проверено 9 января 2015.
  6. Overview of emerging nonvolatile memory technologies // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526

Литература[править | править код]

  • Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия, 2-е изд. / М. Гук, — СПб.: Питер, 2003. — 923 с.:ил., ISBN 5-318-00047-9