DDR3 SDRAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
типы DRAM памяти
Модули памяти DDR3 представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008
Модуль памяти DDR3

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.[1][2]

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[3][4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существуют вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных для DDR3 полутора вольт на 10 %.[5]

В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.[6]

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость[править | править исходный текст]

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.

В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов[править | править исходный текст]

Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Эффективная(удвоенная) скорость Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме
DDR3-800 100 МГц 10,00 нс 400 МГц 800 МТ PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7,50 нс 533 МГц 1066 МТ PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6,00 нс 667 МГц 1333 МТ PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5,00 нс 800 МГц 1600 МТ PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1866 233 МГц 4,29 нс 933 МГц 1866 МТ PC3-14900 14933 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3,75 нс 1066 МГц 2133 МТ PC3-17000 17066 МБ/с

Возможности[править | править исходный текст]

Возможности микросхем DDR3 SDRAM[править | править исходный текст]

  • Предвыборка 8 байт[источник не указан 126 дней]
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3[править | править исходный текст]

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки[править | править исходный текст]

Преимущества по сравнению с DDR2[править | править исходный текст]

  • Бо́льшая пропускная способность (до 17066 МБ/с)
  • Меньшее энергопотребление

Недостатки по сравнению с DDR2[править | править исходный текст]

  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)


Производители микросхем памяти[править | править исходный текст]

В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали[7][8]

Небольшую долю также имели тайваньские Nanya (Elixir, Nanya Technology Corporation) и Winbond.

См. также[править | править исходный текст]

Примечания[править | править исходный текст]

Литература[править | править исходный текст]

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Ссылки[править | править исходный текст]