eDRAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
типы DRAM памяти

eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в тот же самый чип или в ту же самую систему, что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет ее по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в нее, и тогда чип работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM.

eDRAM используется в процессорах POWER7 корпорации IBM[1] и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Zune HD, iPhone, Xbox 360 и Wii U, а также в процессорах компании Intel с архитектурой Haswell.

Примечания[править | править исходный текст]

Ссылки[править | править исходный текст]

Новости[править | править исходный текст]

  • IBM eDram — проверено 17 февраля 2007