SIMM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Модули SIMM сверху вниз:
 · 30-контактный (4 Мбайта, 9 × HYB5400AJ-70) (верхний);
 · 68-контактный (52 Кбайта, 4 × TC524258BJ-10 VRAM из Macintosh LC II);
 · 72-контактный (64 Мбайта, 16 × KM44C16100AS-6 + 8 × HM5116100S6) (нижний)
Модуль памяти SIPP в материнской плате c процессором 80286

SIMM (англ. single in-line memory module — односторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшихся в компьютерных системах в 1990-е годы. Стандарты SIMM описаны в сборнике JESD-21C комитета JEDEC. Имели несколько модификаций.

История[править | править код]

В большинстве ранних материнских плат IBM-PC-совместимых компьютеров использовались чипы DRAM, упакованные в DIP-корпуса и установленные в сокеты[1]. Однако в системах с процессорами 80286 использовалось большее количество памяти, и для экономии места на материнской плате и упрощения процесса модернизации отдельные чипы стали объединять в модули. В некоторых системах использовались SIPP-модули, но их оказалось слишком легко сломать при установке.

Модули SIMM были разработаны и запатентованы в 1983 году компанией Wang Laboratories. Первоначально модули были керамическими и имели штырьки.

Ранние SIMM устанавливались в слоты, не имеющие механизмов фиксации, однако достаточно быстро стали применяться ZIF-слоты с защёлками:

  1. Первыми появились 30-контактные модули, имеющие объём от 64 Кбайт до 16 Мбайт и восьмиразрядную шину данных, дополняемую (иногда) девятой линией контроля чётности памяти. Применялись в компьютерах с ЦП Intel 8088[2], 286, 386. На материнских платах с процессорами 8088, модули ставились по одному, в случае процессоров 286, 386SX модули ставились парами, на 386DX — по четыре модуля одинаковой ёмкости.
  2. С распространением в массовых компьютерах процессоров Intel 80486 и аналогичных, для которых 30-контактные модули надо было ставить, как минимум, по четыре, 30-контактные SIMM были вытеснены 72-контактными модулями SIMM. 72-контактными модули состояли, по существу, из четырёх 30-контактных модулей с общими линиями адреса и раздельными линиями данных, были 32-разрядными, имели объём от 1 Мбайт до 64 Мбайт. В эпоху процессоров 486 72-контактные модули стали применяться на брендовых PC (Compaq, HP, Acer и других), а с переходом на процессоры Pentium — на материнских платах практически всех производителей.

Так как на материнские платы для процессоров Pentium с 64-разрядной шиной данных 72-контактные модули требовалось ставить парами, постепенно модули физически попарно «объединили»: стали размещать микросхемы на обеих сторонах печатной платы модуля памяти. В результате появились первые модули DIMM[a].

Существовали также 64-контактные модули (применявшиеся, например, в компьютерах Macintosh IIfx) и 68-контактные модули (например, VRAM в Macintosh LC).

FPM и EDO[править | править код]

Из-за низкого быстродействия динамической памяти SIMM-модулей с распространением в массовых компьютерах процессоров Pentium спецификация модулей претерпела изменения. В результате появились модули, названные EDO (от англ. extended data out). Модули EDO обладали немного большим быстродействием[3], чем старые модули, названные FPM (от англ. fast page mode), и были несовместимы со старыми модулями.

Материнские платы для процессоров Pentium, как правило, поддерживали и FPM, и EDO. Большинство материнских плат для процессора 486 поддерживали только FPM (старый тип модулей памяти). Отличить модули FPM от модулей EDO по внешнему виду было практически невозможно (внешнее отличие было только в маркировке микросхем), и на практике чаще использовался метод «научного тыка». Установка модуля памяти «неправильного» типа не приводила к неисправностям — BIOS просто не распознавал модули неподдерживаемого типа.

30-контактные модули[править | править код]

Слоты для 30-контактных SIMM на материнской плате Atari STE
  1. Разрядность шины данных: 8 бит у модулей без контроля чётности, 9 бит у модулей с контролем чётности.
  2. Тип применяемых микросхем динамической памяти: FPM.
  3. Стандартные значения объёма памяти модулей: 64 Кб, 256 Кб, 1 Мб, 4 Мб, 16 Мб.
  4. Физические размеры модуля: 89 мм на 13 мм, 89 мм на 25 мм.
  5. Шаг расположения контактных площадок: 0,1".
  6. Модули типа SIPP имеют аналогичное назначение контактов и отличаются только конструктивно: вместо контактных площадок используются контактные штырьки.
Назначение контактов модуля
 №  Название Описание
1 Vcc Напряжение питания +5 В
2 CAS# Строб адреса столбца
3 DQ0 Линия данных 0
4 A0 Адресная линия 0
5 A1 Адресная линия 1
6 DQ1 Линия данных 1
7 A2 Адресная линия 2
8 A3 Адресная линия 3
9 GND Общий
10 DQ2 Линия данных 2
11 A4 Адресная линия 4
12 A5 Адресная линия 5
13 DQ3 Линия данных 3
14 A6 Адресная линия 6
15 A7 Адресная линия 7
16 DQ4 Линия данных 4
17 A8 Адресная линия 8
18 A9 Адресная линия 9
19 A10 Адресная линия 10
20 DQ5 Линия данных 5
21 WE# Запись данных
22 GND Общий
23 DQ6 Линия данных 6
24 A11 Адресная линия 11
25 DQ7 Линия данных 7
26 QP Линия данных 9 (контроль чётности, выход)
27 RAS# Строб адреса строки
28 CASP# Строб адреса столбца чётности
29 DP Линия данных 9 (контроль чётности, вход)
30 Vcc Напряжение питания +5 В

Примечания:

  • уровни сигналов на линиях — стандартные ТТЛ;
  • линии QP и DP подключены только на модулях, использующих контроль чётности;
  • линия A8 не подключена на 64 Кб модулях;
  • линия A9 не подключена на 64 Кб, 256 Кб модулях;
  • линия A10 не подключена на 64 Кб, 256 Кб и 1 Мб модулях;
  • линия A11 не подключена на 64 Кб, 256 Кб, 1 Мб и 4 Мб модулях.

30-контактные модули использовались в звуковых картах Sound Blaster AWE32 и Sound Blaster 32компании Creative Labs для расширяемого ОЗУ чипа EMU8011, максимальный объём памяти — 32 Мбайта (фактически доступно 28 Мбайт).

72-контактные модули[править | править код]

Слоты для 72-контактных модулей SIMM на материнской плате IBM PS/2 с процессором 80486
  1. Разрядность шины данных: 32 бита у модулей без контроля чётности, 36 бит у модулей с контролем чётности.
  2. Типы применяемых микросхем динамической памяти: FPM, EDO.
  3. Стандартные значения объёма памяти модулей: 1 Мб, 2 Мб, 4 Мб, 8 Мб, 16 Мб, 32 Мб, 64 Мб.
  4. Физические размеры модуля: в большинстве случаев 108 мм на 25 мм, иногда 108 мм на 39 мм.
  5. Шаг расположения контактных площадок: 0,05"; между выводами с номерами 36 и 37 увеличенное расстояние и вырез (ключ).
Назначение контактов модуля
№ ECC без контроля чётности ECC с контролем чётности Назначение Без контроля чётности С контролем чётности Назначение
1 VSS VSS Общий VSS VSS Общий
2 DQ0 DQ0 Линия данных 0 DQ0 DQ0 Линия данных 0
3 DQ1 DQ1 Линия данных 1 DQ16 DQ16 Линия данных 16
4 DQ2 DQ2 Линия данных 2 DQ1 DQ1 Линия данных 1
5 DQ3 DQ3 Линия данных 3 DQ17 DQ17 Линия данных 17
6 DQ4 DQ4 Линия данных 4 DQ2 DQ2 Линия данных 2
7 DQ5 DQ5 Линия данных 5 DQ18 DQ18 Линия данных 18
8 DQ6 DQ6 Линия данных 6 DQ3 DQ3 Линия данных 3
9 DQ7 DQ7 Линия данных 7 DQ19 DQ19 Линия данных 19
10 VCC VCC Напряжение питания +5 В VCC VCC Напряжение питания +5 В
11 PD5 PD5 Линия конфигурации 5 - - Не подключен
12 A0 A0 Адресная линия 0 A0 A0 Адресная линия 0
13 A1 A1 Адресная линия 1 A1 A1 Адресная линия 1
14 A2 A2 Адресная линия 2 A2 A2 Адресная линия 2
15 A3 A3 Адресная линия 3 A3 A3 Адресная линия 3
16 A4 A4 Адресная линия 4 A4 A4 Адресная линия 4
17 A5 A5 Адресная линия 5 A5 A5 Адресная линия 5
18 A6 A6 Адресная линия 6 A6 A6 Адресная линия 6
19 - - Не подключен A10 A10 Адресная линия 10
20 DQ8 DQ8 Линия данных 8 DQ4 DQ4 Линия данных 4
21 DQ9 DQ9 Линия данных 9 DQ20 DQ20 Линия данных 20
22 DQ10 DQ10 Линия данных 10 DQ5 DQ5 Линия данных 5
23 DQ11 DQ11 Линия данных 11 DQ21 DQ21 Линия данных 21
24 DQ12 DQ12 Линия данных 12 DQ6 DQ6 Линия данных 6
25 DQ13 DQ13 Линия данных 13 DQ22 DQ22 Линия данных 22
26 DQ14 DQ14 Линия данных 14 DQ7 DQ7 Линия данных 7
27 DQ15 DQ15 Линия данных 15 DQ23 DQ23 Линия данных 23
28 A7 A7 Адресная линия 7 A7 A7 Адресная линия 7
29 DQ16 DQ16 Линия данных 16 A11 A11 Адресная линия 11
30 VCC VCC Напряжение питания +5 В VCC VCC Напряжение питания +5 В
31 A8 A8 Адресная линия 8 A8 A8 Адресная линия 8
32 A9 A9 Адресная линия 9 A9 A9 Адресная линия 9
33 - - Не подключен RAS3# RAS3# Строб строки 3
34 RAS1# RAS1# Строб строки 1 RAS2# RAS2# Строб строки 2
35 DQ17 DQ17 Линия данных 17 - PQ3 Бит чётности 3 (для линий 16-23)
36 DQ18 DQ18 Линия данных 18 - PQ1 Бит чётности 1 (для линий 0-7)
37 DQ19 DQ19 Линия данных 19 - PQ2 Бит чётности 2 (для линий 8-15)
38 DQ20 DQ20 Линия данных 20 - PQ4 Бит чётности 4 (для линий 24-31)
39 VSS VSS Общий VSS VSS Общий
40 CAS0# CAS0# Строб столбца 0 CAS0# CAS0# Строб столбца 0
41 A10 A10 Адресная линия 10 CAS2# CAS2# Строб столбца 2
42 A11 A11 Адресная линия 11 CAS3# CAS3# Строб столбца 3
43 CAS1# CAS1# Строб столбца 1 CAS1# CAS1# Строб столбца 1
44 RAS0# RAS0# Строб строки 0 RAS0# RAS0# Строб строки 0
45 RAS1# RAS1# Строб строки 1 RAS1# RAS1# Строб строки 1
46 DQ21 DQ21 Линия данных 21 - - Не подключен
47 WE# WE# Сигнал записи WE# WE# Сигнал записи
48 ECC# ECC# ECC - - Не подключен
49 DQ22 DQ22 Линия данных 22 DQ8 DQ8 Линия данных 8
50 DQ23 DQ23 Линия данных 23 DQ24 DQ24 Линия данных 24
51 DQ24 DQ24 Линия данных 24 DQ9 DQ9 Линия данных 9
52 DQ25 DQ25 Линия данных 25 DQ25 DQ25 Линия данных 25
53 DQ26 DQ26 Линия данных 26 DQ10 DQ10 Линия данных 10
54 DQ27 DQ27 Линия данных 27 DQ26 DQ26 Линия данных 26
55 DQ28 DQ28 Линия данных 28 DQ11 DQ11 Линия данных 11
56 DQ29 DQ29 Линия данных 29 DQ27 DQ27 Линия данных 27
57 DQ30 DQ30 Линия данных 30 DQ12 DQ12 Линия данных 12
58 DQ31 DQ31 Линия данных 31 DQ28 DQ28 Линия данных 28
59 VCC VCC Напряжение питания +5 В VCC VCC Напряжение питания +5 В
60 DQ32 DQ32 Линия данных 32 DQ29 DQ29 Линия данных 29
61 DQ33 DQ33 Линия данных 33 DQ13 DQ13 Линия данных 13
62 DQ34 DQ34 Линия данных 34 DQ30 DQ30 Линия данных 30
63 DQ35 DQ35 Линия данных 35 DQ14 DQ14 Линия данных 14
64 - DQ36 Линия данных 36 DQ31 DQ31 Линия данных 31
65 - PQ37 Линия данных 37 DQ15 DQ15 Линия данных 15
66 - PQ38 Линия данных 38 - - Не подключен
67 PD1 PD1 Линия конфигурации 1 PD1 PD1 Линия конфигурации 1
68 PD2 PD2 Линия конфигурации 2 PD2 PD2 Линия конфигурации 2
69 PD3 PD3 Линия конфигурации 3 PD3 PD3 Линия конфигурации 3
70 PD4 PD4 Линия конфигурации 4 PD4 PD4 Линия конфигурации 4
71 - DQ39 Линия данных 39 - - Не подключен
72 VSS VSS Общий VSS VSS Общий

Примечания:

  • линия A10 не подключена на модулях 256 Кбайт, 512 Кбайт, 1 Мбайт и 4 Мбайт;
  • линии RAS1 и RAS3 не подключены на модулях 256 Кбайт, 1 Мбайт и 4 Мбайт.

Объём памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD1 и PD2.

PD2 PD1 Объём
GND GND 4 или 64 Мб
GND NC 2 или 32 Мб
NC GND 1 или 16 Мб
NC NC 8 Мб

Время доступа к ячейкам памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD3 и PD4.

PD4 PD3 Время доступа
GND GND 50, 100 нс
GND NC 80 нс
NC GND 70 нс
NC NC 60 нс

Линия GND подключена к общему проводу, а линия NC — не подключена.

72-контактные модули FPM применялись не только в компьютерах, но и в лазерных принтерах для увеличения объёма памяти. В ноутбуках с процессорами 386SX и 386DX также использовались 72-контактные модули.

После появления 72-контактных модулей FPM надо было найти применение 30-контактным модулям, и некоторые фирмы начали выпуск адаптеров 4×30 pin SIMM — 72 pin SIMM.

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

Комментарии[править | править код]

  1. ↑ На самом деле, одностороннее или двустороннее расположение микросхем на плате модуля памяти никакого отношения к названию DIMM не имеет. Это довольно частое заблуждение, не имеющее ничего общего с действительностью.

Источники[править | править код]

  1. ↑ Александр Фролов, Григорий Фролов. Компьютер IBM PC/AT, MS-DOS и Windows. Вопросы и ответы : [арх. 30 апреля 2023]. — Диалог-МИФИ, 1993. — Т. 4, кн. 10, 2.4. Чем отличаются микросхемы памяти DIP, SIMM и SIP. — С. 218. — (Библиотека системного программиста).
  2. ↑ Материнская плата 8088 с модулями SIMM Архивировано 26 января 2021 года.
  3. ↑ Юрий А. Денисов. B.3. Динамическое ОЗУ : B.3.2.2. Причины повышения скорости работы EDO RAM : [арх. 15 апреля 2015]. — 2001. — Вып. 2, VII. Память. — («Основы информационных систем»). Источник. Дата обращения: 2 сентября 2015. Архивировано 15 апреля 2015 года..

Ссылки[править | править код]

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=SIMM&oldid=135891060