Фотолитография: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
VolkovBot (обсуждение | вклад)
м робот добавил: de:Fotolithografie (Halbleitertechnik)
VolkovBot (обсуждение | вклад)
м робот добавил: it:Litografia (elettronica)
Строка 32: Строка 32:
[[hu:Fotolitográfia]]
[[hu:Fotolitográfia]]
[[id:Fotolitografi]]
[[id:Fotolitografi]]
[[it:Litografia (elettronica)]]
[[ja:フォトリソグラフィ]]
[[ja:フォトリソグラフィ]]
[[nl:Fotolithografie]]
[[nl:Fotolithografie]]

Версия от 10:01, 25 января 2010

Wafertraksystem

Фотолитогра́фия — метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.

Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом).

Фоторезист — специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.

Фотошаблон — пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излучения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.

Процесс фотолитографии происходит так:

  1. На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.
  2. Производится экспонирование через фотошаблон (контактным или проекционным методом).
  3. Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.
  4. Заключительная стадия — удаление остатков фоторезиста.

Если после экспонирования становятся растворимыми засвеченные области фоторезиста, то процесс фотолитографии называется негативным. Иначе — позитивным.

Альтернативные способы

  • «Взрывной». (обратная фотолитография) При его использовании слой материала наносится на слой облучённого и протравленного фоторезиста, после чего остатки фоторезиста удаляются, унося с собой области материала, под которыми он располагался. Используется для изготовления рисунков из материалов, не имеющих травителя, либо если травитель является слишком агрессивным.
  • «Выжигание». Необходимые окна в полимерном слое разрушаются воздействием на них мощного светового потока, испаряющего нанесённую на материал плёнку или прожигающего сам материал насквозь. Применяется для изготовления малотиражных офсетных форм и в некоторых системах ризографии.