Фотолитография: различия между версиями
[отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
VolkovBot (обсуждение | вклад) м робот добавил: de:Fotolithografie (Halbleitertechnik) |
VolkovBot (обсуждение | вклад) м робот добавил: it:Litografia (elettronica) |
||
Строка 32: | Строка 32: | ||
[[hu:Fotolitográfia]] |
[[hu:Fotolitográfia]] |
||
[[id:Fotolitografi]] |
[[id:Fotolitografi]] |
||
[[it:Litografia (elettronica)]] |
|||
[[ja:フォトリソグラフィ]] |
[[ja:フォトリソグラフィ]] |
||
[[nl:Fotolithografie]] |
[[nl:Fotolithografie]] |
Версия от 10:01, 25 января 2010
Фотолитогра́фия — метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.
Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом).
Фоторезист — специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.
Фотошаблон — пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излучения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.
Процесс фотолитографии происходит так:
- На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.
- Производится экспонирование через фотошаблон (контактным или проекционным методом).
- Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.
- Заключительная стадия — удаление остатков фоторезиста.
Если после экспонирования становятся растворимыми засвеченные области фоторезиста, то процесс фотолитографии называется негативным. Иначе — позитивным.
Альтернативные способы
- «Взрывной». (обратная фотолитография) При его использовании слой материала наносится на слой облучённого и протравленного фоторезиста, после чего остатки фоторезиста удаляются, унося с собой области материала, под которыми он располагался. Используется для изготовления рисунков из материалов, не имеющих травителя, либо если травитель является слишком агрессивным.
- «Выжигание». Необходимые окна в полимерном слое разрушаются воздействием на них мощного светового потока, испаряющего нанесённую на материал плёнку или прожигающего сам материал насквозь. Применяется для изготовления малотиражных офсетных форм и в некоторых системах ризографии.