Геттерирование
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Эту статью предлагается удалить. |
Геттерирование — процесс связывания в нейтральные ассоциации подвижных, нежелательных примесей и дефектов на границах раздела, образованных внешней поверхностью кристаллов или поверхностью границ преципитатов[1].
Процесс геттерирования происходит за счёт следующих физических эффектов:
- высвобождение примесей или распад протяжённых дефектов на более мелкие составные части;
- диффузия примесей или составных частей дислокаций;
- поглощение примесей или собственных межузельных атомов некоторым стоком;
Существует 3 основных механизма геттерирования примесей:
- Образование пар ионов. При легировании образца фосфором, некоторые примеси, такие, например, как медь, распределяются так, что профиль распределения принимает форму, близкую профилю примесного фосфора. В результате образуются нейтральные пары вида Cu+P-.
- Геттерирование с использованием нарушенных слоёв.
- Внутреннее геттерирование. Чаще всего проявляется при ионном легировании. Воздействие преципитатов оксида кремния на дислокации приводит к тому, что последние начинают притягивать к себе примеси тяжёлых металлов, освобождая, таким образом, поверхность от примесей.
В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |
Для улучшения этой статьи желательно:
|
Примечания[править | править код]
- ↑ Подготовительные операции. Геттерирование . МИФИ. Дата обращения: 1 марта 2022. Архивировано 1 марта 2022 года.
Литература[править | править код]
- Иванов В.И., Лучников П. А., Сигов А. С., Суржиков А.П. Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы. Учебник для бакалавриата и магистратуры / под ред. Ю.В. Гуляева. — М.: Юрайт, 2016. — С. 39—40. — 460 с. — ISBN 978-5-04-027994-4.
- Углов В.В. Радиационные процессы и явления в твердых телах. — Минск: Высшэйшая школа, 2016. — С. 69—70. — 190 с. — ISBN 978-5-04-056182-7.