Иванов, Сергей Викторович (физик)

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Сергей Викторович Иванов
Дата рождения 24 июня 1960(1960-06-24) (63 года)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР Россия
Род деятельности физик
Научная сфера физика наногетероструктур
Место работы ФТИ РАН,
СПбАУ, СПбГЭТУ
Альма-матер ЛЭТИ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор, член-корреспондент РАН (2022)
Награды и премии

Серге́й Ви́кторович Ивано́в (род. 24 июня[1] 1960, Ленинград, СССР) — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге. Член-корреспондент РАН с 2022 года[2].

Биография[править | править код]

Родился в 1960 году.

Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.). В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ[3].

Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации[3].

Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран[3].

С октября 2018 года исполнял обязанности директора ФТИ. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора[4][5]; после урегулирования формальностей, 6 августа 2019 года официально вступил в должность. В 2024 году претендует на переизбрание[6].

В июне 2022 года стал членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук[2].

Научная деятельность[править | править код]

Иванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы АIIIВV, АIIВVI, АIII-нитриды).

Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии[4]:

Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 9 патентов. Суммарно его работы были процитированы свыше 12000 раз, индекс Хирша — 39 (данные РИНЦ на начало 2024 года)[7]. Выступал на российских и международных конференциях, сделал более 40 приглашённых докладов.

Премии и награды[править | править код]

Исследовательская деятельность учёного отмечена присуждением ряда премий в его институте, благодарностью президента РАН (1999), благодарностью губернатора Санкт-Петербурга (2020), медалью Минобрнауки РФ «За вклад в реализацию государственной политики в области технологического развития» (2021)[6].

Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алфёрова за цикл приоритетных исследований физико-химических аспектов процесса молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6, приведший к созданию эффективных квантоворазмерных наногетероструктур для элементной базы полупроводниковой оптоэлектроники и квантовой фотоники широкого спектрального диапазона[8].

В связи с 300-летием РАН в 2024 году был награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени[9].

Преподавание, оргработа[править | править код]

Как учёный-наставник Иванов подготовил 7 кандидатов физико-математических наук[4].

По совместительству, с 2004 года преподавал в двух вузах Санкт-Петербурга: читал курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор[3]. С 2020 года заведует базовой кафедрой ФТИ в НИУ ВШЭ-СПб[6].

Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ. Главный редактор журнала «Физика и техника полупроводников» (с 2023 года)[10], член редколлегий журналов «Micro and Nanostructures» (до весны 2022 года журнал назывался «Superlattices and Microstructures»)[4] и «Physica Status Solidi»[11].

В 2023 году вошёл в состав президиума новосозданного Санкт-Петербургского отделения (СПбО) РАН[12], c начала 2024 года возглавляет объединённый научный совет СПбО по естественным наукам[13].

Примечания[править | править код]

  1. В некоторых источниках день рождения учёного ошибочно указан как 24 февраля.
  2. 1 2 Н. Ланской. Избранные члены Российской академии наук. Портал «Научная Россия» (2 июня 2022). Дата обращения: 2 июня 2022. Архивировано 2 июня 2022 года.
  3. 1 2 3 4 Информация о С. В. Иванове Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine на сайте СПбАУ
  4. 1 2 3 4 Информация Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine о выборах директора ФТИ: сведения о претендентах
  5. Информация Архивная копия от 10 мая 2019 на Wayback Machine об избрании С. В. Иванова на пост директора ФТИ (на сайте института).
  6. 1 2 3 Кандидатуры на должность директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе. сайт ФТИ РАН (2024). — см. тж. документы в конце. Дата обращения: 28 мая 2024.
  7. Список публикаций С. В. Иванова и данные об их цитируемости на сайте Elibrary
  8. Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115.
  9. Указ Президента Российской Федерации от 05.02.2024 № 91, см. стр. 12.
  10. См. сведения о составе редколлегии Архивная копия от 30 августа 2023 на Wayback Machine на сайте журнала «Физика и техника полупроводников».
  11. См. Editorial Advisory Board на сайте журнала Physica Status Solidi.
  12. Президиум Санкт-Петербургского отделения РАН (постановление Президиума РАН N 213 от 31 октября 2023). РАН. Дата обращения: 25 мая 2024.
  13. М. Ледяева. Академик Андрей Рудской - о регулировании нейросетей и новом отделении РАН. Российская газета (26 февраля 2024). Дата обращения: 8 мая 2024.

Ссылки[править | править код]