Бовина, Лидия Александровна

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Лидия Александровна Бовина
Дата рождения 22 февраля 1936(1936-02-22)
Дата смерти 26 января 2001(2001-01-26) (64 года)
Страна  СССР
 Россия
Род деятельности учёная
Научная сфера физика и технология полупроводников и фотоэлектроники
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии
Юбилейная медаль «За доблестный труд (За воинскую доблесть). В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина»
Государственная премия Российской Федерации — 2000

Лидия Александровна Бовина (22 февраля 1936 — 26 января 2001) — учёный в области физики и технологии полупроводников и фотоэлектроники, доктор физико-математических наук, профессор, заслуженный технолог Российской Федерации, лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники.

Окончила Московский институт стали и сплавов.

С 1961 г. работала в лаборатории полупроводниковых материалов НИИПФ (сейчас — ГНЦ РФ АО "НПО «Орион») в должностях от младшего научного сотрудника до научного руководителя НИР и ОКР.

В 1960-е гг. разработала технологию выращивания монокристаллов антимонида индия, что позволило значительно ускорить организацию производства фотоприемников средневолнового ИК-диапазона.

Получила новый полупроводниковый материал — твердый раствор теллуридов кадмия-ртути (КРТ). По её технологии в начале 1970 года были выращены первые монокристаллы КРТ, на которых разработаны первые советские фоторезисторы на спектральный диапазон 8-12 мкм.

Создала фотодиоды для сверхбыстродействующих фотоприемников для гетеродинного приема излучения СО2-лазера на длине волны 10,6 мкм.

В 1977 году защитила докторскую диссертацию по результатам разработки и исследований КРТ и фотодиодов. Профессор.

Награды и премии

[править | править код]

Примечания

[править | править код]
  1. Указ Президента РФ от 26.12.2000 г. № 2084. Дата обращения: 25 сентября 2023. Архивировано 6 сентября 2017 года.