Геттерирование

Геттерирование — процесс связывания в нейтральные ассоциации подвижных, нежелательных примесей и дефектов на границах раздела, образованных внешней поверхностью кристаллов или поверхностью границ преципитатов.

Процесс геттерирования происходит за счёт следующих физических эффектов:

• высвобождение примесей или распад протяжённых дефектов на более мелкие составные части;
• диффузия примесей или составных частей дислокаций;
• поглощение примесей или собственных межузельных атомов некоторым стоком;

Существует 3 основных механизма геттерирования примесей:

1. Образование пар ионов. При легировании образца фосфором, некоторые примеси, такие, например, как медь, распределяются так, что профиль распределения принимает форму, близкую профилю примесного фосфора. В результате образуются нейтральные пары вида Cu⁺P_-.
2. Геттерирование с использованием нарушенных слоёв.
3. Внутреннее геттерирование. Чаще всего проявляется при ионном легировании. Воздействие преципитатов оксида кремния на дислокации приводит к тому, что последние начинают притягивать к себе примеси тяжёлых металлов, освобождая, таким образом, поверхность от примесей.

Литература

• Иванов В.И., Лучников П. А., Сигов А. С., Суржиков А.П. Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы. Учебник для бакалавриата и магистратуры / под ред. Ю.В. Гуляева. — М.: Юрайт, 2016. — С. 39—40. — 460 с. — ISBN 978-5-04-027994-4.

• Углов В.В. Радиационные процессы и явления в твердых телах. — Минск: Высшэйшая школа, 2016. — С. 69—70. — 190 с. — ISBN 978-5-04-056182-7.